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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种不对称内腔调控的窄线宽垂直腔面发射激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115313153B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211049420.X，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种不对称内腔调控的窄线宽垂直腔面发射激光器是由任翱博;唐枝婷;巫江;李传林;赵飞云;李妍设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种不对称内腔调控的窄线宽垂直腔面发射激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种不对称内腔调控的窄线宽垂直腔面发射激光器，涉及半导体激光器领域，具体为一种不对称内腔调控的窄线宽垂直腔面发射激光器及其制备方法，激光器自上而下依次设置有第一电极、P型布拉格反射单元、氧化限制层、有源层、拓展层、N型布拉格反射单元、衬底以及第二电极，P型布拉格反射单元包括层叠设置预设P‑DBR对数的P型布拉格反射层，N型布拉格反射单元包括层叠设置预设N‑DBR对数的N型布拉格反射层，解决了现有垂直腔面发射激光器线宽较大的问题。

本发明授权一种不对称内腔调控的窄线宽垂直腔面发射激光器在权利要求书中公布了：1.一种不对称内腔调控的窄线宽垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述激光器自上而下依次设置有第一电极、P型布拉格反射单元、氧化限制层、有源层、拓展层、N型布拉格反射单元、衬底以及第二电极，所述P型布拉格反射单元包括层叠设置预设P-DBR对数的P型布拉格反射层，所述N型布拉格反射单元包括层叠设置预设N-DBR对数的N型布拉格反射层；所述拓展层为Al0.9Ga0.1As，所述拓展层的掺杂浓度为2×1018cm-3；所述拓展层的厚度范围为1-2微米；所述预设P-DBR对数小于所述预设N-DBR对数；所述预设P-DBR对数的范围为22-24，所述预设N-DBR对数的范围为34-36；所述氧化限制层上设置有氧化孔，所述氧化孔的直径为3-4微米；所述P型布拉格反射单元中相邻P型布拉格反射层和或N型布拉格反射单元中相邻N型布拉格反射层之间夹设有渐变层，所述渐变层为AlxGa1-xAs，所述AlxGa1-xAs组分变化范围为：x＝0.9-0.12；所述渐变层的厚度为10-20nm。

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