恭喜北京北方华创微电子装备有限公司林源为获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利纳米级图案化衬底的制备方法及纳米级图案化衬底获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211057372.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权纳米级图案化衬底的制备方法及纳米级图案化衬底是由林源为设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳米级图案化衬底的制备方法及纳米级图案化衬底在说明书摘要公布了：本发明公开了一种纳米级图案化衬底的制备方法及纳米级图案化衬底，方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成光刻胶层；图案化所述光刻胶层，在所述光刻胶层上形成贯穿所述光刻胶层的多个第一圆孔；形成第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖在所述第一圆孔内壁形成直径为纳米级的第二圆孔；形成第一刻蚀掩膜层，所述第一刻蚀掩膜层填充所述第二圆孔并在所述第二圆孔内形成直径为纳米级的圆柱；刻蚀所述衬底，在所述衬底表面形成纳米级的圆锥阵列。本发明能够实现采用微米级的工艺制造形貌呈现圆锥形的纳米级图案化衬底。
本发明授权纳米级图案化衬底的制备方法及纳米级图案化衬底在权利要求书中公布了：1.一种纳米级图案化衬底的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成光刻胶层；图案化所述光刻胶层，在所述光刻胶层上形成贯穿所述光刻胶层的多个第一圆孔；形成第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖在所述第一圆孔内壁形成直径为纳米级的第二圆孔；形成第一刻蚀掩膜层，所述第一刻蚀掩膜层填充所述第二圆孔并在所述第二圆孔内形成直径为纳米级的圆柱；刻蚀所述衬底，在所述衬底表面形成纳米级的圆锥阵列。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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