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龙图腾网恭喜深圳市埃芯半导体科技有限公司申请的专利曲面弯晶制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115582919B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211173148.6，技术领域涉及：B28D5/04；该发明授权曲面弯晶制备方法是由贡志锋;张雪娜;洪峰;骆荣辉;王翠焕;张贝设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本曲面弯晶制备方法在说明书摘要公布了：本发明适用于曲面弯晶制备技术领域，提供了一种曲面弯晶制备方法，包括以下步骤：提供凹模和待加工的晶片，凹模具有与目标曲面弯晶的曲面相适配的第一曲面；获取目标曲面弯晶的曲面参数，曲面参数包括曲面半径和曲面弧度；对晶片沿第一方向延伸的两个第一边沿施加第一压力，以使第一边沿与第一曲面相贴合，直至第一边沿形成与第一曲面中相应区域形状相适配的曲面结构；第一压力与晶片之间具有沿子午方向分布的多个接触点，第一方向为与目标曲面弯晶的子午方向对应的方向；对晶片施加第二压力，以使晶片靠近第一曲面的一面与第一曲面紧密贴合，直至晶片形成与第一曲面相适配的目标曲面结构。本发明提供的曲面弯晶制备方法，可有效提高成品率。

本发明授权曲面弯晶制备方法在权利要求书中公布了：1.一种曲面弯晶制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供凹模和待加工的晶片，所述凹模具有与目标曲面弯晶的曲面相适配的第一曲面；获取所述目标曲面弯晶的曲面参数，所述曲面参数包括曲面半径和曲面弧度；对所述晶片沿第一方向延伸的两个第一边沿施加第一压力，以使所述第一边沿与所述第一曲面相贴合，直至所述第一边沿形成与所述第一曲面中相应区域形状相适配的曲面结构；其中，所述第一压力与所述晶片之间具有沿子午方向分布的多个接触点，所述第一方向为与所述目标曲面弯晶的子午方向对应的方向；对所述晶片施加第二压力，以使所述晶片靠近所述第一曲面的一面与所述第一曲面紧密贴合，直至所述晶片形成与所述第一曲面相适配的目标曲面结构；所述对所述晶片的整体施加第二压力包括以下步骤：对所述晶片的整个受力面施加间隔分布的第三压力，直至所述晶片的受力区域形成与所述第一曲面相应区域形状相适配的曲面结构；对所述晶片的整个受力面施加第四压力，直至所述晶片的整个受力面与所述第一曲面贴合并形成所述目标曲面结构；所述第四压力与所述晶片的接触面积大于等于所述晶片的受力面的面积。

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