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龙图腾网恭喜江苏优普纳科技有限公司;无锡市锡山区半导体先进制造创新中心申请的专利一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513043B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211262662.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置是由尹韶辉;邱蕾;钱泽梁;刘坚;路恩会;索鑫宇设计研发完成，并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置，其中，碳化硅晶锭包括待剥离的晶片层、改质层和碳化硅基板，且改质层位于晶片层和碳化硅基板之间。本发明的从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法包括：通过超声振动向碳化硅晶锭的改质层中注入预先备好的液体，待液体充满改质层后，对充入液体的碳化硅晶锭进行冷却处理，直至液体结冰使改质层膨胀断裂，晶片层与碳化硅基板分离，接着对分离后的晶片层进行磨削，得到晶片。本发明能够降低碳化硅晶片剥离时的材料损耗，从而可以有效提高碳化硅晶锭的利用率，并且本发明还能提高加工效率、降低制造成本。

本发明授权一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种从碳化硅晶锭中剥离晶片的方法，其中，所述碳化硅晶锭包括待剥离的晶片层、改质层和碳化硅基板，所述改质层位于所述晶片层和所述碳化硅基板之间，所述方法包括：通过超声振动向所述碳化硅晶锭的改质层中注入预先备好的液体，所述液体为以能降低水的张力的物质为溶质的水溶液且存放于一容器内，其中，所述通过超声振动向所述碳化硅晶锭的改质层中注入预先备好的液体包括：通过超声波振动装置使所述容器内的液体振动，并将所述碳化硅晶锭以其改质层的沟槽垂直于所述液体的表面的方向置入所述液体中；待所述液体充满所述改质层后，对充入液体的碳化硅晶锭进行冷却处理，直至所述液体结冰使改质层膨胀断裂，晶片层与碳化硅基板分离，其中，所述对充入液体的碳化硅晶锭进行冷却处理包括：通过抓取翻转转运装置将充入液体的碳化硅晶锭进行旋转，以使其表面与所述液体的表面平行，以及将旋转后的碳化硅晶锭从所述液体中平移至温度低于零度的环境下进行静置；对分离后的晶片层进行磨削，得到所述晶片；其中，所述将所述碳化硅晶锭以其改质层的沟槽垂直于所述液体的表面的方向置入所述液体中包括：通过夹持升降装置以预定的速率将所述碳化硅晶锭按照所述方向置入所述液体中，所述预定的速率为液体浸入的速率。

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