恭喜华中科技大学罗为获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利一种用于检测月壤挥发分中H2S气体的复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115974138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211436219.7，技术领域涉及：C01G19/02；该发明授权一种用于检测月壤挥发分中H2S气体的复合材料及其制备方法是由罗为;皮文博;陈曦;侯笑笑;傅邱云;董文;张光祖设计研发完成，并于2022-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于检测月壤挥发分中H2S气体的复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种用于检测月壤挥发分中H2S气体的复合材料及其制备方法，其中制备方法包括如下步骤：S1，金属氧化物半导体SnO2的制备：将锡盐溶液和螯合剂混合，水热反应后得到金属氧化物半导体前驱体的产物，将金属氧化物半导体前驱体煅烧得到金属氧化物半导体SnO2粉末；S2、复合材料Ag2O@SnO2的制备：将步骤S1制得的金属氧化物半导体SnO2粉末和银盐溶液混合，加入碱性溶液并搅拌，离心、洗涤、干燥得到复合材料Ag2O@SnO2。本发明的复合材料Ag2O@SnO2在低温、高真空等极端环境下依然可以用于检测H2S，并且响应速度很快，灵敏度极高。
本发明授权一种用于检测月壤挥发分中H2S气体的复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于检测月壤挥发分中H2S气体的复合材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1，金属氧化物半导体SnO2的制备：将锡盐和螯合剂混合，水热反应后得到金属氧化物半导体前驱体的产物，将金属氧化物半导体前驱体煅烧后得到金属氧化物半导体SnO2粉末；S2、复合材料Ag2O@SnO2的制备：将步骤S1制得的金属氧化物半导体SnO2粉末和银盐混合，加入碱性溶液并搅拌，离心、洗涤、干燥得到复合材料Ag2O@SnO2；所述银盐：金属氧化物半导体SnO2粉末的摩尔比为4100~8100；所述复合材料在温度-50℃≤T≤-20℃、真空度10-5Pa≤P≤5Pa的环境下检测H2S；所述复合材料为核壳结构的Ag2O@SnO2，其中SnO2为疏松多孔的球状结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号