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龙图腾网恭喜南京工程学院申请的专利在大比表面积基底上制备原子层沉积二硫化铌薄膜的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116145104B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310006236.5，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权在大比表面积基底上制备原子层沉积二硫化铌薄膜的方法及装置是由黄亚洲;谷蓝翔;邵银峰;周雨轲;沈家伟;陈玉蒙设计研发完成，并于2023-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本在大比表面积基底上制备原子层沉积二硫化铌薄膜的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种在大比表面积基底上制备原子层沉积二硫化铌薄膜的方法及装置，涉及原子层沉积技术领域，能够降低合成生长所需的温度，可以在大比表面积基底上，沉积生长高质量的二硫化铌薄膜，具有工艺简单、稳定，质量均匀等优点，适合用来规模化制备生产二硫化铌薄膜。本发明包括：源路Ⅰ、源路Ⅱ、反应腔体装置、真空泵7，源路Ⅰ用于向反应腔体装置输送Nb源；源路Ⅱ用于向反应腔体装置输送S源；反应腔体装置的气动阀V3、气动阀V4组成，与源路Ⅰ和源路Ⅱ中的气动阀V11、气动阀V22联动控制，铌源和硫源送入反应腔体后，气动阀V3、气动阀V4及时关闭，使铌源和硫源能够在腔体内充分进行反应。

本发明授权在大比表面积基底上制备原子层沉积二硫化铌薄膜的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种在大比表面积基底上制备原子层沉积二硫化铌薄膜的方法，其特征在于，包括：步骤S1，将基底放入等离子体清洗机中处理；步骤S2，将经过步骤S1处理的基底放入反应腔体（4）内，运行真空泵（7）对反应腔体（4）抽真空，之后启动腔体加热装置（5）加热反应腔体（4）；步骤S3，将铌源装入Nb源瓶（17），之后启动多加热范围协同加热系统，对Nb源瓶（17）和Nb源瓶（17）与反应腔体（4）之间的输送管路进行加热；步骤S4，封闭源路II并向源路Ⅰ中通入载气，并利用载气将Nb源瓶（17）输出的铌源送入反应腔体（4），之后停止通入载气并密闭反应腔体（4）直至达到第一反应时间，以便于铌源与基底表面的活性官能团发生自限制化学吸附，在基底上形成包含铌的化学官能团层；达到第一预设时间后重新向源路Ⅰ通入载气并连通反应腔体（4），以便于通过再次通入反应腔体（4）的载气冲洗反应腔体（4）中的反应副产物和残余的铌源；步骤S5，封闭源路I并向源路II中通入载气，并利用载气将S源瓶（11）输出的硫源送入反应腔体（4），之后停止通入载气并密闭反应腔体（4）直至达到第二反应时间，以便于硫源与步骤S4中所形成的铌层发生自限制化学反应，从而在基底上生成二硫化铌原子层，达到第二预设时间后重新向源路II通入载气并连通反应腔体（4），以便于通过再次通入反应腔体（4）的载气冲洗反应腔体（4）中的反应副产物和残余的硫源；步骤S6，重复执行步骤S4至S5，直至基底表面沉积的二硫化铌薄膜厚度达到预设值；对铌Nb源（17）、手动阀V1（16）、气动阀V11（12）和输送管路的加热温度分别为140、160、180和200摄氏度；制作所述基底的材料类型至少包括碳纤维纸和镍金属泡沫；所述基底具有大比表面积；所述铌源采用六羰基铌、氟化铌或者氯化铌；所述S源，采用硫化氢、二烷基二硫醚或者二卤代二硫醚。

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