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龙图腾网恭喜深圳大学申请的专利一种可复用高频低介电低损耗的聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116041761B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310015145.8，技术领域涉及：C08J5/18；该发明授权一种可复用高频低介电低损耗的聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用是由朱才镇;徐坚;鲍锋;李宏;蓝晓倩设计研发完成，并于2023-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可复用高频低介电低损耗的聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于聚酰亚胺制备技术领域，具体涉及一种可复用高频低介电低损耗的聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用。该聚酰亚胺薄膜的制备方法包括步骤：使二酐单体和多胺基化合物在溶剂存在的条件下进行缩聚反应，得到聚酰胺酸溶液；其中，所述多胺基化合物中含有一个以上三氟甲基；将所述聚酰胺酸溶液进行成型，得到聚酰胺酸薄膜；将所述聚酰胺酸薄膜进行热亚胺化反应，得到可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜。本发明通过引入三氟甲基，并调节三氟甲基的取代数量，从而提高聚酰亚胺薄膜的介电性能、疏水性能以及溶解性能，进而获得可复用高频低介电低损耗的聚酰亚胺薄膜。

本发明授权一种可复用高频低介电低损耗的聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种可复用高频低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：使二酐单体和多胺基化合物在溶剂存在的条件下进行缩聚反应，所述缩聚反应的条件包括：于惰性气氛下反应，反应温度为-5℃-30℃，反应时间为6-24h，得到聚酰胺酸溶液；其中，所述多胺基化合物为所述二酐单体为以所述二酐单体和多胺基化合物的总摩尔量为基准，所述多胺基化合物的摩尔分数为0.01-10％；将所述聚酰胺酸溶液进行成型，得到聚酰胺酸薄膜；将所述聚酰胺酸薄膜采用以下升温程序进行热亚胺化反应：以1.0～20℃min的升温速率升温至30-90℃后保温5-120min，以1.0～20℃min的升温速率升温至90-150℃后保温5-120min，以1.0～20℃min的升温速率升温至150-200℃后保温5-120min，以1.0～20℃min的升温速率升温至200-250℃后保温5-120min，以1.0～20℃min的升温速率升温至250-400℃后保温5-120min，得到可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜。

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