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龙图腾网恭喜山东晶镓半导体有限公司申请的专利一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115992385B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310018194.7，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法是由张雷;齐占国;俞娇仙;王守志;王国栋;刘磊设计研发完成，并于2023-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体光电材料制备技术领域，涉及一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法。在蓝宝石衬底上生长GaN之前，通过氢化物气相外延系统对蓝宝石衬底进行氮化形成高密度AlNxO1‑x突起，然后相继在蓝宝石衬底上形成GaN纳米柱、低温GaN缓冲层、高温GaN层，最终得到GaN单晶衬底。其中，AlNxO1‑x突起，能够降低GaN在蓝宝石衬底上的形成能，便于GaN的外延生长，低温GaN缓冲层能够缓解蓝宝石衬底与GaN间晶格失配产生的应力，能够避免裂纹的出现。

本发明授权一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法在权利要求书中公布了：1.一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：采用氢化物气相外延系统将蓝宝石衬底温度升高至1080℃，并通入NH3进行氮化，形成AlNxO1−x凸起，其中，0x≤1，生长气氛为N2气氛，生长压力为大气压；步骤S2：氮化完成后，将所述蓝宝石衬底温度降至850℃，通入GaCl和NH3进行GaN的三维纵向生长，在蓝宝石衬底表面形成GaN纳米柱层，生长气氛为N2气氛，生长压力为大气压；步骤S3：停止通GaCl和NH3，通入HCl对步骤S2生长的GaN以及蓝宝石衬底进行蚀刻，在蓝宝石衬底上得到刻蚀后的GaN纳米柱层；步骤S4：将蓝宝石衬底温度升至850-950℃，再次通入GaCl和NH3，在蓝宝石衬底上形成低温GaN缓冲层；步骤S5：将蓝宝石衬底温度继续升温至1030-1050℃，降低GaCl和NH3的流量，在所述低温GaN缓冲层上生长得到高温GaN层，生长气氛为N2气氛，生长压力为大气压；步骤S6：激光剥离去除蓝宝石衬底，去除低温GaN缓冲层以及GaN纳米柱层，得到的高温GaN层，即为自支撑GaN单晶衬底。

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