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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116224666B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310288586.5，技术领域涉及：G02F1/1362；该发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置是由王利忠;宁策;张劲潮;周天民;郭晖设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。阵列基板包括依次层叠设置的基底、第一有源层、第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层和像素电极，第一有源层在基底上的正投影的至少部分位于子像素区域，第一有源层的材质包括氧化物，第一导电层包括栅线和第一栅电极，栅线的材质包括金属，第一栅电极与栅线连接，第一栅电极的材质包括透明导电材料，第一栅电极在基底上的正投影与第一有源层在基底上的正投影存在第一交叠区域，第一交叠区域位于子像素区域，像素电极与第一有源层连接。本公开的技术方案，有利于提升产品的开口率。

本发明授权阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括沿第一方向延伸的多条栅线以及沿第二方向延伸的多条数据线，多条所述栅线与多条所述数据线相互交叉限定出多个子像素区域，所述阵列基板包括：基底；第一有源层，位于所述基底的一侧，所述第一有源层在所述基底上的正投影的至少部分位于所述子像素区域，所述第一有源层的材质包括氧化物半导体材料，所述第一有源层与所述数据线连接；所述第一有源层在所述子像素区域内沿所述第一方向延伸，在所述第一方向上，相邻的子像素区域中的所述第一有源层沿所述第二方向彼此错开设置；第一导电层，位于所述基底的朝向所述第一有源层的一侧，所述第一导电层包括所述栅线和第一栅电极，所述栅线的材质包括导电金属材料，所述第一栅电极与所述栅线连接，所述第一栅电极的材质包括透明导电材料，所述第一栅电极在所述基底上的正投影与所述第一有源层在所述基底上的正投影存在第一交叠区域，所述第一交叠区域位于所述子像素区域；其中，所述第一导电层位于所述第一有源层背离所述基底的一侧，所述数据线位于所述基底与所述第一有源层之间，所述数据线包括第一表面区域，所述第一有源层与所述第一表面区域的一部分搭接连接；所述阵列基板还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述数据线与所述第一有源层之间，所述缓冲层开设有第一过孔，所述数据线的通过所述第一过孔暴露的表面为所述第一表面区域，所述第一有源层通过所述第一过孔与所述第一表面区域的一部分搭接连接；所述第一有源层包括位于所述第一交叠区域之外的第一导体化区域，所述第一导体化区域通过所述第一过孔与所述第一表面区域的一部分搭接连接，所述第一导体化区域包括沿所述第一导体化区域与所述第一表面区域的搭接边界的侧壁，所述侧壁的坡度角小于90°；第一绝缘层，位于所述第一有源层和所述第一导电层之间；第二绝缘层，位于所述第一有源层和所述第一导电层的背离所述基底的一侧；像素电极，位于所述第二绝缘层的背离所述基底的一侧，所述像素电极与所述第一有源层连接。

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