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龙图腾网恭喜成都铭芯半导体科技有限公司申请的专利一种SARADC电容阵列校准方法和电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116707527B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310622630.1，技术领域涉及：H03M1/10；该发明授权一种SARADC电容阵列校准方法和电路是由牛义;李永凯;沈堃;杨平;李向全;张靖;武鹏;乔仕超设计研发完成，并于2023-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SARADC电容阵列校准方法和电路在说明书摘要公布了：一种SARADC电容阵列校准方法和电路，涉及半导体集成电路领域。本发明的校准方法包括下述步骤：1在校准模式下，SARADC中的电容阵列DAC的高位电容对基准电压进行采样，然后低位电容对高位电容进行量化，根据量化结果计算出高位电容的权重误差作为误差补偿码，并存储；2在正常工作模式下，SARADC完成对输入模拟信号的采样和量化，根据SARADC中的比较器结果提取需要做权重误差补偿的权重位的误差补偿码，计算出总的补偿值，并与SARADC输出的未经校准的输出结果相加，得出校准后的输出结果。本发明无需测量比较器噪声，即可精确测量电容阵列DAC的权重误差。

本发明授权一种SARADC电容阵列校准方法和电路在权利要求书中公布了：1.一种SARADC电容阵列校准方法，其特征在于，包括下述步骤：1在校准模式下，SARADC中的电容阵列DAC的高位电容对基准电压进行采样，然后低位电容对高位电容进行量化，根据量化结果计算出高位电容的权重误差作为误差补偿码，并存储；2在正常工作模式下，SARADC完成对输入模拟信号的采样和量化，根据SARADC中的比较器结果提取需要做权重误差补偿的权重位的误差补偿码，计算出总的补偿值，并与SARADC输出的未经校准的输出结果相加，得出校准后的输出结果；所述步骤1具体包括以下分步骤：1.a电容顶板接GND；CN，CN-1，……，Ck+1，Ck电容底板接VREF；Ck-1，……，C2，C2r,C1,C1r电容底板接GND；1.b电容顶板与GND断开；1.cCk底板接GND；1.d对Ck-1进行试验，Ck-1底板接VREF，比较器连续比较n次，n大于1，如果n次比较结果一致，继续对下一个电容做试验，其中，当比较结果都是逻辑“0”时，Ck-1底板保持接VREF，当比较结果都是逻辑“1”时，Ck-1底板接回GND；如果n次比较的结果一部分是逻辑“0”，另一部分是逻辑“1”，则停止试验，并计算比较结果出现逻辑“0”的概率，从精量化权重-概率查找表查找出精量化权重值Wfine；1.e分别对Ck-2，……，C2，C2r,C1,C1r重复步骤1.d的试验；1.f根据步骤1.d和1.e的比较结果计算Ck的权重误差：对Cm进行试验时，如果n次比较的结果是一致的，Cm接VREF时，bm＝1，Cm接GND时，bm＝0；如果n次比较的结果一部分是逻辑“0”，另一部分是逻辑“1”，则bm＝1,bm-1＝0,……,b2＝0,b1＝0,b2r＝0,b1r＝0其中：m＝1～k-1或1r或2r，bm为电容Cm的开关信号；计算Ck的权重误差为：Ek＝粗量化权重+精量化权重-理想权重式中：Ek为Ck的权重误差，粗量化权重＝bk-1×2k-2+bk-2×2k-3+……+b1×21+b2r×21+b1r×20，精量化权重为Wfine，理想权重＝2k-1；重复步骤1.a到1.f，测量出C3～CN的权重误差E3～EN，将权重误差E3～EN作为误差补偿码。

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