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龙图腾网恭喜浙江鸿禧能源股份有限公司申请的专利一种TBC电池制备方法及其硅片激光开槽装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119029085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411121664.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种TBC电池制备方法及其硅片激光开槽装置是由杨益华;董焕苗;李磊;李健设计研发完成，并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TBC电池制备方法及其硅片激光开槽装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种TBC电池制备方法及其硅片激光开槽装置，涉及光伏技术领域，旨在解决TBC电池生产良率较低，成本较高的技术问题，包括选取N型单晶硅衬底、双面抛光、开槽、对S04处理后的硅片，硼掺杂区使用油墨遮挡、对S05后的硅片进行背面SiO2隧穿层与磷掺杂非晶硅层沉积、去除正面与边缘生成的SiO2、磷扩散处理、去除边缘与背面的SiO2保护层、双面沉积Al2O3和印刷烧结及测试。本发明将正面织构化过程向后顺延，降低了正面被污染的概率，提升了良率，降低了成本，且利用背面磷掺杂时生成的PSG层作为阻挡层进行正面织构化，同时通过使用油墨掩膜的方式进行遮挡，减少了氮化硅保护层的镀膜与去膜工序，降低了生产的成本，同时减少了HF酸的使用，提升了安全性。

本发明授权一种TBC电池制备方法及其硅片激光开槽装置在权利要求书中公布了：1.一种TBC电池制备方法，所述TBC电池从前表面至电池背面依次为：减反射层，AlOx层，磷扩散层，C-Sin基体，SiO2隧穿层，磷掺杂多晶硅层（Poly-Sin+）硼掺杂多晶硅层（Poly-Sip+），AlOx层，减反射层以及金属电极，其特征在于，包括如下步骤：S01、选取N型单晶硅衬底；所述N型单晶硅衬底的电阻率为1~20Ω·cm，厚度为50~300um；S02、利用槽式设备，对选取的N型单晶硅衬底，进行双面抛光处理；S03、制备SiO2隧穿层与硼掺杂多晶硅层（Poly-Sip+）：利用PECVD设备，选用N2O作为SiO2的制备原料气体，选用CH4H2BH3作为硼掺杂原料气体，对硼掺杂后的硅片进行退火处理，使沉积的硼掺杂非晶硅层晶化，掺杂后方阻为100-200Ω；S04、开槽：使用硅片激光开槽装置对步骤S03得到的硅片进行激光开槽处理，并去除非硼掺杂面的BSG层与绕扩，去除非硼掺杂面的绕扩时，使用槽式清洗设备，利用碱液进行腐蚀，同时对激光开槽处的损伤层进行去除，减少开槽处的缺陷复合中心，其中，激光波长范围为100-1200nm，隧穿层厚度为1.4nm，掺杂非晶硅层的厚度为110nm；S05、对步骤S04处理后的硅片，硼掺杂区使用油墨遮挡，并进行烘干处理，采用喷涂或者涂布的方式沉积油墨；其中，油墨宽度与硼掺杂区宽度差异在0-1mm，硼掺杂区左右两侧油墨溢出宽度要保持一致；S06、对步骤S05处理后的硅片进行背面SiO2隧穿层与磷掺杂非晶硅层沉积：利用PECVD设备，选用N2O作为SiO2的制备原料气体，选用CH4H2PH3作为磷掺杂原料气体，磷掺杂后的硅片，进行退火处理，使沉积的磷掺杂非晶硅层晶化，并通入氧气，在硅片背面形成PSG层；其中，掺杂后方阻为20-200Ω；S07、去除正面与边缘生成的SiO2：使用链式设备，去除步骤S06处理后硅片正面与边缘生成的SiO2，并使用槽式设备，去除绕扩，同时，利用槽式制绒设备对S05后的硅片进行制绒处理，让硅片正面形成织构化减反射绒面，制绒后的硅片，利用HF酸清洗，去除背面的PSG层，并进行烘干；S08、磷扩散处理：对步骤S07处理后的硅片，正面进行磷扩散处理，并通入氧气，在硅片正面形成SiO2保护层；其中，扩散方阻控制在100-200Ω；S09：去除边缘与背面的SiO2保护层；利用链式设备，去除S08后硅片边缘与背面的SiO2保护层，并继续利用槽式设备进行腐蚀，去除S08步的绕扩，同时，利用碱液对油墨的溶解性，去除S05步印刷的油墨，隔离开背面的磷硼掺杂区，进而使用HF酸，清洗硅片正面的SiO2保护层，S10：双面沉积Al2O3；使用ALD进行双面沉积Al2O3，厚度为2-10nm，选用TMA与H2O作为AlOx沉积的反应气体；S11：双面SiNx沉积；使用PECVD设备对硅片进行双面SiNx沉积，厚度为20-150nm；选用SiH4与NH3作为SiNx沉积的反应气体；S12：印刷烧结及测试；对S11后的硅片进行印刷烧结，形成导电栅线，并进行分档测试，即可制得TBC电池。

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