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龙图腾网恭喜苏州芯合半导体材料有限公司申请的专利一种半导体用高精密陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118851756B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411338453.5，技术领域涉及：C04B35/49；该发明授权一种半导体用高精密陶瓷材料及其制备方法是由林尚涛;赵方彪设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体用高精密陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体用高精密陶瓷材料及其制备方法，涉及半导体用陶瓷材料技术领域，包括如下按重量份计的各原料制成：基体组分55‑75份、烧结助剂3‑5份、副组分8‑12份、增强组分10‑20份、粘结组分1‑3份；所述基体组分为Ba‑Ti‑Bi‑稀土元素‑Zr‑A‑M‑O，其中，A为B、Te按质量比1:0.1‑0.3混合而成；M为In、Fe、Co、Mo、Ta中的至少一种；所述副组分为纳米硅化铌、纳米碳化钽、纳米氮化镓按质量比1:0.8‑1.2:0.3‑0.5混合而成。该材料强度高、断裂韧性足，介电损耗和显气孔率低。

本发明授权一种半导体用高精密陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体用高精密陶瓷材料，其特征在于，包括如下按重量份计的各原料制成：基体组分55-75份、烧结助剂3-5份、副组分8-12份、增强组分10-20份、粘结组分1-3份；所述基体组分为Ba-Ti-Bi-稀土元素-Zr-A-M-O，其中，A为B、Te按质量比1:0.1-0.3混合而成；M为In、Fe、Co、Mo、Ta中的至少一种；所述副组分为纳米硅化铌、纳米碳化钽、纳米氮化镓按质量比1:0.8-1.2:0.3-0.5混合而成；所述基体组分的制备方法，包括如下步骤：将钡源、钛源、铋源、稀土源、锆源、A源、M源和柠檬酸加入到水中，混合均匀后，进行喷雾干燥，得到前驱体，接着将前驱体进行焙烧，取出研磨，过500-800目筛，得到基体组分；所述A源包括硼酸钠、碲酸钠；所述钡源、钛源、铋源、稀土源、锆源、A源、M源、柠檬酸、水的质量比为0.3:0.1:0.05:0.08-0.12:1:0.02:0.1-0.2:0.7:10-16；所述半导体用高精密陶瓷材料的烧结处理采用两段式烧结，第一段烧结温度为850-950℃，烧制1-3h，第二段烧结的温度为1560-1800℃，烧制4-10h。

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