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龙图腾网恭喜山东大学申请的专利一种声表面波器件的制备方法及声表面波器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119010820B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411487540.7，技术领域涉及：H03H3/08；该发明授权一种声表面波器件的制备方法及声表面波器件是由唐供宾;李明设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种声表面波器件的制备方法及声表面波器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种声表面波器件的制备方法及声表面波器件，涉及射频器件技术领域。本发明先在单晶硅或碳化硅的生长过程中掺杂深能级杂质，得到掺杂深能级杂质的掺杂硅或掺杂碳化硅，并将掺杂硅或掺杂碳化硅作为支撑衬底，然后在作为支撑衬底的掺杂硅或掺杂碳化硅上制备二氧化硅形成温补层，之后在温补层上制备压电单晶薄膜形成压电层，并在压电层上沉积叉指电极。本发明以同样电阻率的单晶硅或碳化硅为基础制备得到支撑衬底时，无需额外工艺，并提高了对寄生表面电导效应的抑制效果，则对于同等寄生表面电导效应的抑制效果需求，降低了对于单晶硅或碳化硅电阻率的要求，从而降低了单晶硅或碳化硅的生长工艺的要求，提高了适用性。

本发明授权一种声表面波器件的制备方法及声表面波器件在权利要求书中公布了：1.一种声表面波器件的制备方法，其特征在于，包括：在单晶硅或碳化硅的生长过程中掺杂深能级杂质，得到掺杂深能级杂质的掺杂硅或掺杂碳化硅，并将掺杂硅或掺杂碳化硅用于制备支撑衬底；在支撑衬底上制备二氧化硅形成温补层；在温补层上制备压电单晶薄膜形成压电层，并在压电层上沉积叉指电极；所述在单晶硅的生长过程中掺杂深能级杂质，得到掺杂深能级杂质的掺杂硅，包括：在电阻率为10kΩ·cm的单晶硅的生长过程中，在单晶硅的禁带中位于费米能级处掺杂元素浓度大于或等于3e16cm3的深能级杂质，得到掺杂深能级杂质的掺杂硅，使深能级杂质能级位于掺杂硅导带顶下方0.34eV～0.56eV；其中，所述单晶硅为n型单晶硅，所述n型单晶硅的施主电离浓度为4.6e11cm3，所述n型单晶硅的费米能级位于导带下方0.44eV；或者，在电阻率为5kΩ·cm的单晶硅的生长过程中，在单晶硅的禁带中位于费米能级处掺杂元素浓度大于或等于5e16cm3的深能级杂质，得到掺杂深能级杂质的掺杂硅，使深能级杂质能级位于掺杂硅导带顶下方0.35eV-0.56eV；其中，所述单晶硅为n型单晶硅，所述n型单晶硅的施主电离浓度为9.2e11cm3，所述n型单晶硅的费米能级位于导带下方0.42eV；或者，在电阻率为2kΩ·cm的单晶硅的生长过程中，在单晶硅的禁带中位于费米能级处掺杂元素浓度大于或等于8e16cm3的深能级杂质，得到掺杂深能级杂质的掺杂硅，使深能级杂质能级位于掺杂硅导带顶下方0.37eV-0.56eV；其中，所述单晶硅为n型单晶硅，所述n型单晶硅的施主电离浓度为2.3e12cm3，所述n型单晶硅的费米能级位于导带下方0.39eV。

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