恭喜芯联动力科技(绍兴)有限公司李翔获国家专利权
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龙图腾网恭喜芯联动力科技(绍兴)有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008689B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411487387.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权高电子迁移率晶体管及其制备方法是由李翔设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域；其中，晶体管包括：衬底；位于衬底上的异质结结构，异质结结构包括沿远离衬底的方向依次层叠的沟道层和势垒层，在沟道层的至少部分靠近势垒层的区域中形成有二维电子气通道；位于异质结结构上的源极结构、漏极结构和栅极结构；其中，漏极结构包括沿远离沟道层的方向依次层叠的漏极连接结构和漏极电极，在沟道层的至少部分靠近漏极连接结构的区域中形成有二维空穴气通道；如此，有效提高电流密度，最终提高器件性能。
本发明授权高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的异质结结构，所述异质结结构包括沿远离所述衬底的方向依次层叠的沟道层和势垒层，在所述沟道层的至少部分靠近所述势垒层的区域中形成有二维电子气通道；位于所述异质结结构上的源极结构、漏极结构和栅极结构；其中，所述漏极结构包括沿远离所述沟道层的方向依次层叠的漏极连接结构和漏极电极，在所述沟道层的至少部分靠近所述漏极连接结构的区域中形成有二维空穴气通道。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯联动力科技(绍兴)有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道人民东路1433号1号楼203-18；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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