恭喜新菲光通信技术有限公司方章建获国家专利权
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龙图腾网恭喜新菲光通信技术有限公司申请的专利用于浸没式液冷数据中心的光缆、抗腐蚀涂层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119087612B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411593206.X，技术领域涉及：G02B6/44；该发明授权用于浸没式液冷数据中心的光缆、抗腐蚀涂层的制备方法是由方章建;全家强;蔡淑朋设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于浸没式液冷数据中心的光缆、抗腐蚀涂层的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种用于浸没式液冷数据中心的光缆、抗腐蚀涂层的制备方法，其中光缆包括芯层，芯层内设置有光纤，芯层的外表面设置有抗腐蚀涂层，抗腐蚀涂层的外表面还包括包覆层，抗腐蚀涂层中含有氟硅改性中空SiO2材料，氟硅改性中空SiO2材料包括第一中空SiO2材料和第二中空SiO2材料，第一中空SiO2材料的平均粒径为20nm~50nm，第二中空SiO2材料的平均粒径为200nm~300nm，能够有效阻隔外界的有机分子、水汽等腐蚀物质进入光缆内部，从而降低光缆内部的光纤被腐蚀损坏的风险，提高了光缆在浸没式液冷数据中心应用场景下的使用寿命。
本发明授权用于浸没式液冷数据中心的光缆、抗腐蚀涂层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于浸没式液冷数据中心的光缆，其特征在于，所述光缆包括芯层，所述芯层内设置有光纤，所述芯层的外表面设置有抗腐蚀涂层，所述抗腐蚀涂层的外表面还包括包覆层，所述抗腐蚀涂层中含有氟硅改性中空SiO2材料；所述氟硅改性中空SiO2材料包括第一中空SiO2材料和第二中空SiO2材料，所述第一中空SiO2材料的平均粒径为20nm~50nm，所述第二中空SiO2材料的平均粒径为200nm~300nm；所述第一中空SiO2材料与所述第二中空SiO2材料的质量比为（0.2~0.5）∶1；所述抗腐蚀涂层的厚度为1μm~100μm，所述氟硅改性中空SiO2材料的原料包括全氟辛基三乙氧基硅烷。
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