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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种超级结半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108432B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411595064.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种超级结半导体器件及其制造方法是由姚国亮;乔明设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超级结半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种超级结半导体器件及制造方法，属于半导体技术领域。超级结半导体器件包括元胞区、过渡区和终端区，过渡区处于元胞区和终端区之间，元胞区、过渡区和终端区底部设有第一导电类型半导体衬底、位于第一导电类型半导体衬底上方的第一导电类型的缓冲层、位于第一导电类型缓冲层上方的第一导电类型多次外延层及位于第一导电类型外延层内的第二导电类型纵向条形区域；所述的第二导电类型纵向条形区域在终端区和过渡区的高度比元胞区的在纵向大。本发明使得雪崩击穿发生时击穿点转移到元胞区域，提高了器件EAS性能、降低终端区电荷平衡的敏感性提高器件可靠性；优化超结器件反向耐压特性、提高器件安全工作区。

本发明授权一种超级结半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超级结半导体器件，其特征在于，包括元胞区（100）；终端区（300），围绕所述的元胞区（100）；过渡区（200），所述的过渡区（200）位于器件元胞区（100）和终端区（300）之间；所述的器件元胞区（100）、过渡区（200）和终端区（300）具有共同的衬底结构，所述的衬底结构包括漏极金属层（15）、位于漏极金属层（15）上方的第一导电类型的半导体衬底（01）、位于第一导电类型的半导体衬底上方的第一导电类型的缓冲层（02）；位于第一导电类型的缓冲层（02）上方的第一导电类型的第一外延层（031）；位于第一导电类型的第一外延层（031）上方的第一导电类型的外延层（03），所述的第一导电类型的外延层（03）是通过多次外延构成；在所述元胞区100中：第一导电类型的外延层（03）内设有多个横向上交替分布的第一导电类型的纵向条形区域（05）和第二导电类型的纵向条形区域（04），所述的第一导电类型的纵向条形区域（05）位于所述第一导电类型的外延层（03）内，所述的第二导电类型的纵向条形区（04）位于所述第一导电类型的外延层（03）内且位于第一导电类型的第一外延层（031）上方；第二导电类型的体区（11）位于所述的第一导电类型的纵向条形区（05）和第二导电类型的纵向条形区（04）的上方；在所述过渡区200中：多个横向上交替分布的第一导电类型的纵向条形区域（05）和第二导电类型的纵向条形区域（04），所述的第一导电类型的纵向条形区域（05）位于所述第一导电类型的外延层（03）及第一导电类型的第一外延层（031）内，所述的第二导电类型的纵向条形区（04）位于所述第一导电类型的外延层03及第一导电类型的第一外延层（031）内且位于第一导电类型的缓冲层（02）上方；第二导电类型的隔离层（08）位于所述的第一导电类型的纵向条形区域（05）和第二导电类型的纵向条形区域（04）的顶部，且所述的第一导电类型的纵向条形区域（05）和第二导电类型的纵向条形区域（04）都与所述的第二导电类型的隔离层（08）纵向上相连；场氧化层（09）位于所述第二导电类型的隔离层（08）的上方；在所述终端区300中：多个横向上交替分布的第一导电类型的纵向条形区域（05）和第二导电类型的纵向条形区域（04），所述的第一导电类型的纵向条形区域（05）位于所述第一导电类型外延层03及第一导电类型的第一外延层（031）内，所述的第二导电类型的纵向条形区（04）位于所述第一导电类型外延层（03）及第一导电类型的第一外延层（031）内且位于第一导电类型缓冲层（02）上方；第二导电类型的横向条形区（06）位于第一导电类型的纵向条形区域（05）和第二导电类型的纵向条形区域（04）的上方，且所述的第二导电类型的横向条形区（06）左边界与过渡区（200）中所述的第二导电类型的隔离层（08）相连，第二导电类型的横向条形区（06）的下边界不高于所述的第二导电类型的隔离层（08）的下边界，第二导电类型的隔离层（08）的下边界不高于所述的第二导电类型的体区（11）的下边界；在所述的第二导电类型的横向条形区（06）上方设有第一导电类型的横向条形区（07），所述第一导电类型的横向条形区（07）上方设有场氧化层（09）；所述第二导电类型纵向条形区域（04）在终端区300和过渡区200的高度比在元胞区100的高度在纵向大。

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