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龙图腾网恭喜荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法、电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153337B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411606642.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子装置是由孙冰朔设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制造方法、电子装置在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构，相邻浅沟槽隔离结构之间的半导体衬底上形成有第一刻蚀停止层；对第一刻蚀停止层进行回刻蚀，以得到第二刻蚀停止层，第二刻蚀停止层的宽度小于第一刻蚀停止层的宽度；以第二刻蚀停止层为掩膜对半导体衬底进行离子注入，以在半导体衬底中形成源漏区；去除第二刻蚀停止层；在半导体衬底上形成栅电极层；在栅电极层的侧壁上形成侧墙结构，侧墙结构的顶部与栅电极层的顶部齐平。本发明利用刻蚀停止层定义源漏离子注入区域，无需刻蚀侧墙结构而形成顶部较尖的斜肩结构，宽度均匀的侧墙可以增大栅极与接触孔之间的有效距离，改善漏电问题。

本发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成第一刻蚀停止层；依次刻蚀所述第一刻蚀停止层和所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成浅沟槽；在所述浅沟槽中沉积隔离层，所述隔离层填充所述浅沟槽并覆盖所述第一刻蚀停止层；去除所述第一刻蚀停止层上方的隔离层，以在所述半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构，相邻浅沟槽隔离结构之间的所述半导体衬底上形成有所述第一刻蚀停止层；对所述第一刻蚀停止层进行刻蚀，以得到第二刻蚀停止层；以所述第二刻蚀停止层为掩膜对所述半导体衬底进行离子注入，以在所述半导体衬底中形成源漏区；去除所述第二刻蚀停止层；在所述半导体衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层的侧壁上形成侧墙结构，所述侧墙结构的顶部与所述栅电极层的顶部齐平。

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