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龙图腾网恭喜福建臻璟新材料科技有限公司申请的专利一种氮化铝单晶基板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119145046B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411607379.2，技术领域涉及：C30B25/00；该发明授权一种氮化铝单晶基板的制备方法是由张财根;刘卫平;谢荣坤;林嘉远设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化铝单晶基板的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化铝单晶基板的制备方法，涉及氮化铝单晶基板相关领域，本发明通过采用双向生长法制备氮化铝单晶基板的优点在于，它能显著提高晶体生长速度，可达1.0‑1.5mmh，同时通过上下温度梯度控制，实现晶体在两个方向上的均匀生长，从而减少应力集中和缺陷生成，该方法不仅提高了基板的生产效率，还能优化晶体质量，确保其具备优良的机械、热学和光学性能，适用于高性能电子器件的制造。

本发明授权一种氮化铝单晶基板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化铝单晶基板的制备方法，其特征在于：具体步骤如下：S1设备准备：高温炉：感应加热炉或电阻加热炉，工作温度范围为1800℃至2000℃，坩埚设计：采用上下对称结构的高纯石墨或氮化硼坩埚，温度梯度控制：在晶体生长区设置上下两个温度梯度，气体控制系统：确保高纯度氮气的供应，氮气纯度为99.999％，流速为10-30sccm；S2材料准备：高纯铝源：AlN粉末，纯度≥99.999％，氮气源：高纯氮气，用于提供反应氛围；S3反应器设计与双向生长环境：采用上下对称的双坩埚结构，在坩埚上下分别放置晶种AlN粉末，使氮化铝晶体在上下两个方向生长，温度梯度：上部生长区温度：1800℃至2000℃，下部生长区温度：1700℃至1900℃，温度梯度：保持30-50℃cm；S4晶体生长步骤：a.初期准备：装载原料-真空处理-引入氮气；b.晶体生长过程：加热升温-双向生长；c.降温与收尾：缓慢降温-晶体切割；S5后处理：采用打磨辅助装置完成，打磨过程中采用粗研磨和精细抛光，结合氧化铈抛光液进行机械抛光处理；S6质量检测：进行X射线衍射，检查晶体结构，确保晶体的单晶质量，确定无显著晶格缺陷；所述打磨辅助装置包括用于进行防护的防护仓、设于防护仓下端用于对基板进行打磨的打磨带、设于打磨带顶部用于对基板进行夹持和调节的辅助调节机构以及设于防护仓内上端用于对基板进行清洁的辅助清洁机构；所述辅助调节机构包括两组相对设置的底板、设于两组底板之间的固定杆、设于左端底板顶部的辅导轨、安装在右端底板顶部的主导轨、设于主导轨和辅导轨内侧的压固机构、设于右端底板顶部右端的固定座、设于固定座右侧的第一电机、连接第一电机输出轴且置于固定座左侧的摆杆、连接摆杆另一端的连杆以及设于压固机构外侧的滑块，所述连杆内侧贯穿主导轨连接压固机构，所述底板安装在打磨带顶部；所述主导轨下端前后位置开设有放置槽，连杆置于放置槽内部；所述压固机构包括用于进行防护且外侧连接滑块的外壳、设于外壳内侧的压板、连接压板内侧且置于外壳内部的连接块、设于外壳内部与连接块相抵的凸轮、设于凸轮中部的连接轴，连接轴底部与外壳底部进行转动连接以及设于外壳上端且连接凸轮的螺栓。

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