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龙图腾网恭喜成都电科星拓科技有限公司申请的专利交流耦合电平移位器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119135154B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411609380.9，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权交流耦合电平移位器是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本交流耦合电平移位器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种交流耦合电平移位器，属于集成电路领域。为加快高速信号的电平转换速度，本发明的交流耦合电平移位器中，输入信号接入第一NMOS管的栅极和第一PMOS管的栅极，第一PMOS管的源极连接第一器件工作电压，第一PMOS管的漏极连接第一NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极连接第一公共接地端电压；第一PMOS管的漏极还连接第二NMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极；第二PMOS管的源极连接第二器件工作电压，第二PMOS管的漏极连接第二NMOS管的漏极，第二NMOS管的源极连接第二公共接地端电压；第二PMOS管的漏极引出输出信号；第一NMOS管的栅极连接所述电容的第一端，第二PMOS管的漏极连接所述电容的第二端。本发明具有低延迟、低占空比损失优势。

本发明授权交流耦合电平移位器在权利要求书中公布了：1.一种交流耦合电平移位器，其特征在于，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和电容；其中，输入信号接入第一NMOS管的栅极和第一PMOS管的栅极，第一PMOS管的源极连接第一器件工作电压，第一PMOS管的漏极连接第一NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极连接第一公共接地端电压；第一PMOS管的漏极还连接第二NMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极；第二PMOS管的源极连接第二器件工作电压，第二PMOS管的漏极连接第二NMOS管的漏极，第二NMOS管的源极连接第二公共接地端电压；第二PMOS管的漏极引出输出信号；第一NMOS管的栅极连接所述电容的第一端，第二PMOS管的漏极连接所述电容的第二端；第二公共接地端电压的电压值大于第一公共接地端电压的电压值，第二器件工作电压的电压值大于第一器件工作电压的电压值；第二PMOS管的导通阈值大于第一PMOS管的导通阈值，第二NMOS管的导通阈值大于第一NMOS管的导通阈值。

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