恭喜安徽大学桂鹏彬获国家专利权
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龙图腾网恭喜安徽大学申请的专利一种基于类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜的pin型紫外光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153571B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411644823.8，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权一种基于类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜的pin型紫外光电探测器及其制备方法是由桂鹏彬;汪鑫;魏新建;宋杰军;张亚鹏;王思亮;曾玮;黄志祥设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜的pin型紫外光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜的pin型紫外光电探测器及其制备方法，属于多晶薄膜新材料制备技术以及光电探测器技术领域。该探测器使用CsAg2I3多晶薄膜做光吸收层，在光吸收层两侧分别制备空穴传输层和电子传输层构成pin结。本发明采用了非铅基类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜作为主要光吸收层，具有本征紫外吸收和良好的稳定性；宽禁带的空穴传输层和电子传输层与CsAg2I3多晶薄膜能带匹配形成pin结，pin结形成的内建电场可以在无偏压条件下使光生载流子分离，因此该器件可以工作在自驱动模式。本发明对非铅基钙钛矿紫外光电探测器的进一步发展具有促进作用。
本发明授权一种基于类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜的pin型紫外光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜的pin型紫外光电探测器，其特征在于，从下至上依次包括GaN衬底、光吸收层、空穴传输层，所述GaN衬底包括GaN层和蓝宝石层，GaN层作为电子传输层，蓝宝石层作为基底层，所述GaN层和空穴传输层分别连接有电极；所述光吸收层为非铅基类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜；所述空穴传输层为亚铜盐，包括碘化亚铜、溴化亚铜、硫氰酸亚铜中的至少一种；所述电极包括电极一和电极二，电极一与空穴传输层接触连接，电极二与电子传输层接触连接。
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