恭喜通威太阳能(成都)有限公司杨磊获国家专利权
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龙图腾网恭喜通威太阳能(成都)有限公司申请的专利一种钝化接触太阳电池及光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133265B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411640214.5，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种钝化接触太阳电池及光伏组件是由杨磊;王公鑫;余斌;吕爱武设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钝化接触太阳电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种钝化接触太阳电池及光伏组件，其中钝化接触太阳电池包括硅基底，硅基底的背光面包括间隔排列的第一区域和第三区域；在第一区域，硅基底的背光面依次设有介质层、第一掺杂层和第一钝化层，介质层和第一掺杂层在第一区域形成钝化接触结构；在第三区域，硅基底的背光面设有第一钝化层；第一区域和第三区域之间设有第二区域，第二区域具有台阶结构，台阶结构中台阶的数量至少为两个，能降低钝化接触太阳电池的光学损失，从而提高太阳电池的光电转换效率。
本发明授权一种钝化接触太阳电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种钝化接触太阳电池，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底的背光面包括间隔排列的第一区域和第三区域；在所述第一区域，所述硅基底的背光面依次设有介质层、第一掺杂层和第一钝化层，所述介质层和所述第一掺杂层在所述第一区域形成钝化接触结构；在所述第三区域，所述硅基底的背光面设有所述第一钝化层；所述第一区域和所述第三区域之间设有第二区域，所述第二区域具有台阶结构，所述台阶结构中台阶的数量至少为两个；所述台阶结构包括第一台阶和第二台阶，所述第一台阶包括相交的第一子表面和第二子表面，所述第二台阶包括相交的第三子表面和第四子表面；所述第一区域为：在所述硅基底的背光面，第一电极在所述硅基底表面的正投影所对应的区域；所述第二区域为：在所述硅基底的背光面，具有所述台阶结构的区域；所述第三区域为：在所述硅基底的背光面，除所述第一区域和所述第二区域以外的区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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