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龙图腾网恭喜宁波大学申请的专利微纳结构转印制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119165726B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411652292.7，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权微纳结构转印制备方法及其应用是由邹秋顺;李博;康成科;沈祥;顾辰杰;陈益敏;张培晴;刘自军设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本微纳结构转印制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供微纳结构转印制备方法及其应用，涉及光学器件领域，具体而言，本发明提供的微纳结构转印制备方法为将曝光后的胶结构转移至常规或非常规衬底上并显影的微纳结构剥离工艺，该转印制备方法可通过两种方法完成，具体为在基底上制备辅助膜、胶结构、保护层后使用中间介质层依次取出多余膜层结构，最终使用常规或非常规衬底粘合胶结构并去除中间介质层，使用本发明提供的方法，可以使得超构材料或微纳结构在曲面衬底、柔性衬底等非常规衬底的制备，实现其在微纳光学器件、柔性器件和集成光电子器件等领域的应用。

本发明授权微纳结构转印制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.微纳结构转印制备方法，其特征在于，所述微纳结构转印制备方法为将曝光后的胶结构（3）转移至常规或非常规衬底（6）上并显影的微纳结构剥离工艺，所述常规或非常规衬底（6）选自曲面衬底、平面衬底、柔性衬底、刚性衬底中的任意一种，微纳结构转印制备方法通过方法一或方法二完成，其中，方法一包括以下步骤：S1：在基底（1）上制备辅助膜（2）；S2：在辅助膜（2）上制备胶结构（3）并进行图案化曝光；S3：在曝光后的胶结构（3）上制备保护层（4）；S4：在保护层（4）上制备中间介质层（5）；S5：剥离基底（1）和辅助膜（2），裸露胶结构（3）；S6：将常规或非常规衬底（6）和胶结构（3）进行粘合；S7：去除保护层（4）和中间介质层（5）；S8：胶结构（3）显影，微纳结构转印制备完成；方法二包括以下步骤：SA：在基底（1）上制备辅助膜（2）；SB：在辅助膜（2）上制备保护层（4）；SC：在保护层（4）上制备胶结构（3）并进行图案化曝光；SD：在胶结构（3）上制备中间介质层（5）；SE：剥离基底（1）、辅助膜（2）、保护层（4），使胶结构（3）裸露；SF：将常规或非常规衬底（6）和胶结构（3）进行粘合；SG：剥离中间介质层（5）；SH：胶结构（3）显影，微纳结构转印制备完成。

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