恭喜上海理工大学谭知雨获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海理工大学申请的专利一种基于D2NNs的太赫兹相控阵器件及其实现方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119200292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411688122.4,技术领域涉及:G02F1/29;该发明授权一种基于D2NNs的太赫兹相控阵器件及其实现方法是由谭知雨;臧小飞;朱亦鸣;郭子晴设计研发完成,并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于D2NNs的太赫兹相控阵器件及其实现方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种基于D2NNs的太赫兹相控阵器件及其实现方法。该相控阵器件包括主动调制层与两层超表面层结构。主动调制层主要包括图案化微纳金属电极和主动功能材料,通过外加电压实现主动功能材料光学性质的调节,从而在太赫兹波段实现特定相位分布的光束输出。超表面层由位于衬底表面的硅柱结构阵列构成,两层超表面层能够精细化控制特定衍射平面的复电场分布,构建光学衍射神经网络架构。对于每个所需要的调控模式利用神经网络中的梯度下降和反向传播算法优化超表面层的相位分布,可以在不同电压驱动下实现特定光束方向的主动调控。本发明解决了太赫兹相控阵技术在调控精度、连续性等方面的问题,提供了更高效、灵活的波束调控方法。
本发明授权一种基于D2NNs的太赫兹相控阵器件及其实现方法在权利要求书中公布了:1.一种基于D2NNs的太赫兹相控阵器件,其特征在于,太赫兹相控阵器件包括主动调制层与两层超表面层;两层超表面层,位于主动调制层的后方,第一层超表面层紧贴主动调制层,两层超表面层之间间隔一定距离;两层超表面构成光学衍射神经网络架构,通过梯度下降和反向传播算法优化超表面层的相位分布,以实现对太赫兹波的动态调控;主动调制层包括图案化微纳金属电极、主动功能材料,使用外置的多通道电压源连接到图案化微纳金属电极并施加电压使主动功能材料发生相变,每个通道施加不同电压形成编码电压模式,对应的主动功能材料的相变的模式形成编码,从而实现对太赫兹波相位实现主动调制;超表面层由超表面单元结构组成,其中每个超表面单元由位于衬底表面的矩形硅柱结构构成,每个单元内的矩形硅柱结构以单元中心为原点旋转不同的角度,这个角度是通过光学衍射神经网络计算优化得来。
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