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龙图腾网恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利掩膜图案的生成方法、半导体封装器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119225112B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411719272.7，技术领域涉及：G03F1/76；该发明授权掩膜图案的生成方法、半导体封装器件及制造方法是由郭廷晃;胡迎宾;郭哲劭;孙飞设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜图案的生成方法、半导体封装器件及制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种掩膜图案的生成方法、半导体封装器件及制造方法，该掩膜图案的生成方法用于制造半导体封装器件，该半导体封装器件包括按照掩膜图案形成于半导体基底上的再分布层。该掩膜图案的生成方法包括：接收初始掩膜图案；在初始掩膜图案中存在满足第一内角条件的目标内角情况下，对初始掩膜图案中的目标内角进行圆弧钝化处理，以使得构成目标内角的两条边之间形成圆弧过渡；其中，初始掩膜图案经过圆弧钝化处理后形成圆弧钝化掩膜图案；第一内角条件为内角角度不大于90°；对圆弧钝化掩膜图案进行逻辑运算处理，得到目标掩膜图案。通过本申请实施例，降低了再分布层的绝缘层薄膜断裂或脱落的可能性，提升了半导体封装器件的性能。

本发明授权掩膜图案的生成方法、半导体封装器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜图案的生成方法，所述方法用于制造半导体封装器件，所述半导体封装器件包括按照所述掩膜图案形成于半导体基底上的再分布层；其特征在于，所述方法包括：接收初始掩膜图案；在所述初始掩膜图案中存在满足第一内角条件的目标内角情况下，对所述初始掩膜图案中的目标内角进行圆弧钝化处理，以使得构成所述目标内角的两条边之间形成圆弧过渡，包括：基于所述第一内角条件对所述初始掩膜图案的内角进行筛选，得到满足所述第一内角条件的目标内角；其中，所述第一内角条件为内角角度不大于90°；基于第二内角条件对所述目标内角进行筛选，得到满足所述第二内角条件的第一目标内角和不满足所述第二内角条件的第二目标内角；其中，所述第二内角条件为目标内角的顶点与两条边形成的夹角区域内存在指定窗口图形，且所述夹角区域与所述指定窗口图形之间存在指定位置关系；采用不同的圆弧钝化处理方法对所述第一目标内角和所述第二目标内角分别进行圆弧钝化处理，以使构成所述第一目标内角的两条边之间的圆弧过渡图形，与构成所述第二目标内角的两条边之间的圆弧过渡图形不相同；其中，所述初始掩膜图案经过所述圆弧钝化处理后形成圆弧钝化掩膜图案；对所述圆弧钝化掩膜图案进行逻辑运算处理，得到目标掩膜图案。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。