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龙图腾网恭喜东北大学申请的专利基于多模态大模型的芯片陶瓷封装基板表面缺陷检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119205787B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411729956.5，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权基于多模态大模型的芯片陶瓷封装基板表面缺陷检测方法是由于瑞云;郭冰洋设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于多模态大模型的芯片陶瓷封装基板表面缺陷检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供了基于多模态大模型的芯片陶瓷封装基板表面缺陷检测方法，涉及陶瓷芯片表面缺陷技术领域，通过多模态数据融合和跨域知识迁移来实现芯片陶瓷封装基板表面缺陷的图像和文本数据融合，综合使用相似度和分割损失函数进行约束优化，实现对不同产品类型封装基板表面缺陷的高效准确检测，进一步提升检测方法在不同场景下的泛化性和鲁棒性，并结合视觉文本提示词，形成完整的缺陷分析报告。

本发明授权基于多模态大模型的芯片陶瓷封装基板表面缺陷检测方法在权利要求书中公布了：1.基于多模态大模型的芯片陶瓷封装基板表面缺陷检测方法，其特征在于，包括：步骤1：采集芯片陶瓷封装基板表面的多个图像数据，并获取每个图像数据对应的文本数据，所述芯片陶瓷封装基板表面的多个图像数据和每个图像数据对应的文本数据组成数据集，具体通过以下公式表示：其中，D表示数据集，n为图像数据的总数，其中1≤i≤n，Ii表示第i个图像数据，Ti表示第i个文本数据；步骤2：根据ViT-B编码器对每个所述图像数据进行编码，得到多个图像特征，根据CLIP编码器对每个所述文本数据进行编码，得到一个文本特征；步骤3：通过多模态融合策略，针对每个图像特征，均与文本特征进行融合，以得到多个融合特征，具体通过以下公式实现：其中，表示ViT-B编码器对应的第j个阶段的融合特征，Conv1D表示1×1卷积层，Concat表示特征拼接操作，表示ViT-B编码器对应的第j个阶段的图像特征，Etxt表示文本特征；步骤4：通过轻量级解码器，对所有融合特征进行解码，以得到像素级预测结果，具体通过以下公式表示：其中，Maskpred,i为芯片陶瓷封装基板表面缺陷的像素级预测结果，Decoder为轻量级解码器，ADD为特征像素级相加操作；所述基于多模态大模型的芯片陶瓷封装基板表面缺陷检测方法还包括：根据每个融合特征、文本特征和芯片陶瓷封装基板表面缺陷的像素级预测结果，对ViT-B编码器、CLIP编码器和轻量级解码器中的参数进行更新优化，具体包括以下步骤：步骤A1：在步骤3得到多个融合特征之后，根据每个融合特征和文本特征，确定相似度损失函数；步骤A2：在步骤4得到芯片陶瓷封装基板表面缺陷的像素级预测结果之后，根据像素级预测结果，确定分割损失函数；步骤A3：根据相似度损失函数和分割损失函数，得到最终的损失函数，所述最终的损失函数用于对ViT-B编码器、CLIP编码器和轻量级解码器中的参数进行更新优化；步骤A1具体包括：步骤A1.1：通过跨域知识迁移策略，计算每个融合特征与文本特征在隐空间内的特征分布相似度，具体通过以下公式实现：其中，simj表示文本特征与图像编码器EncoderI对应的第j个阶段的图像特征在隐空间内的特征分布相似度，,表示特征向量之间的点乘，||·||表示特征的二范数；步骤A1.2：根据所述特征分布相似度确定相似度损失函数，具体通过以下公式实现：

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