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龙图腾网恭喜长沙韶光芯材科技有限公司;韶光芯材(浏阳)科技有限公司申请的专利一种图形化低内应力高反射层及制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119291821B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411803509.X，技术领域涉及：G02B5/08；该发明授权一种图形化低内应力高反射层及制备方法和应用是由李弋舟;陈曦;李振松设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种图形化低内应力高反射层及制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及薄膜材料领域，提供了一种图形化低内应力高反射层及其制备方法和应用，高反射层包括自下而上依次位于γ‑Al2O3衬底上的nSiNi层、Cr层、盖帽层、图形化反射层；nSiNi层由Si层和Ni层交替沉积n个周期组成，交替周期n为30~60；Si层的平均厚度为15~40nm，Ni层的平均厚度为3~8nm，Si层与Ni层的平均厚度比为5:1；nSiNi层最下层为Si层且与γ‑Al2O3衬底连接，最上层为Ni层。本发明采用了多层复合结构设计，实现了高反射率、低内应力、底缺陷密度和化学稳定性，解决了传统高反射层内应力大、缺陷密度大等问题，可应用于光刻掩膜版、光学成像和传感器领域。

本发明授权一种图形化低内应力高反射层及制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种图形化低内应力高反射层，其特征在于，所述高反射层包括自下而上依次位于γ-Al2O3衬底上的nSiNi层、Cr层、盖帽层、图形化反射层；所述nSiNi层由Si层和Ni层交替沉积n个周期组成，交替周期n为30~60；所述Si层的平均厚度为15~40nm，Ni层的平均厚度为3~8nm，所述Si层与Ni层的平均厚度比为5:1；所述nSiNi层最下层为Si层且与γ-Al2O3衬底连接，最上层为Ni层；所述Cr层的平均厚度为20~60nm；所述Cr层内含有低角度晶界；所述Cr层内低角度晶界的含量为45~65vol%；所述盖帽层为RuNb，盖帽层的平均厚度为2~8nm；所述图形化反射层为CrCON，图形化反射层的平均厚度为4~10nm。

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