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龙图腾网恭喜苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请的专利半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297725B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411823655.9，技术领域涉及：H01S5/028；该发明授权半导体激光器及其制备方法是由张宇昆;王俊;周立;靳嫣然;胡燚文;闵大勇设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体激光器及其制备方法，其中半导体激光器包括：巴条子模块，每个巴条子模块包括从下至上依次设置的P面次热沉、P面复合层、巴条芯片、N面复合层和N面次热沉，其中，P面复合层从下至上依次设置第一增补层、第一焊料层和第二增补层，N面复合层从下至上依次设置第三增补层、第二焊料层和第四增补层，第一增补层包括第一增补区，第四增补层包括第四增补区，第一增补区和第四增补区在水平方向上形状互补。本申请公开的半导体激光器及其制备方法，有效改善巴条芯片smile效应，提高半导体激光器性能，有助于光束准直、整形及合束，延长器件寿命，提高半导体激光器的可靠性；结构简单，无需额外工序，成本可控。

本发明授权半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.半导体激光器，其特征在于，包括巴条子模块，每个所述巴条子模块包括从下至上依次设置的P面次热沉、P面复合层、巴条芯片、N面复合层和N面次热沉，其中，P面复合层从下至上依次设置第一增补层、第一焊料层和第二增补层，N面复合层从下至上依次设置第三增补层、第二焊料层和第四增补层，所述第一增补层包括第一增补区，所述第四增补层包括第四增补区，所述第一增补区和所述第四增补区在水平方向上形状互补；所述第四增补区设置在所述第四增补层的中心，所述第一增补区的材料为Sn，所述第一增补层中除所述第一增补区以外的区域的材料为Au，所述第四增补区的材料为Sn，所述第四增补层中除所述第四增补区以外的区域的材料为Au；所述第二增补层的材料为Au或Sn，所述第三增补层的材料为Au或Sn；所述第二增补层和所述第三增补层的厚度满足以下关系式： 式中，表示巴条芯片P面Au层厚度，表示第二增补层中Au层厚度，表示第二增补层中Sn层厚度，表示巴条芯片N面Au层厚度，表示第三增补层中Au层厚度，表示第三增补层中Sn层厚度，表示P面次热沉表面Au层厚度，表示N面次热沉表面Au层厚度，表示焊料中Au的占比，表示第一焊料层的厚度，表示第二焊料层的厚度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市高新区漓江路56号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。