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龙图腾网恭喜淮安捷泰新能源科技有限公司申请的专利IBC太阳能电池的背面接触结构、IBC太阳能电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342933B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411889464.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权IBC太阳能电池的背面接触结构、IBC太阳能电池及制备方法是由付少剑;方涛;张明明设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本IBC太阳能电池的背面接触结构、IBC太阳能电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种IBC太阳能电池的背面接触结构、IBC太阳能电池及制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的IBC太阳能电池的背面结构的制备方法，以及IBC太阳能电池的制备方法，在硅片的背面形成未经掺杂的多晶硅，并直接在掩膜中掺入前述多晶硅进行掺杂所需的杂质源；随后在进行第二元素掺杂、高温扩散处理的同时，掩膜中的杂质源可在高温的作用下进行扩散对所述多晶硅形成掺杂，从而节省一步高温过程，降低高温对制备得到的太阳能电池带来的不利影响，同时也简化了工艺流程，降低了制造成本。

本发明授权IBC太阳能电池的背面接触结构、IBC太阳能电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.IBC太阳能电池的背面接触结构的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1：提供表面经过抛光处理的硅片；步骤S2：在所述硅片的背面沉积第一介质、未掺杂多晶硅，并在所述硅片的背面形成掩膜层；其中，所述掩膜层含有第一元素，所述第一元素在所述掩膜层内的含量为0.5~50wt%；步骤S3：在所述硅片的背面的局部区域进行处理，去除所述局部区域的介质、未掺杂多晶硅层以及掩膜层形成开口区；步骤S4：对所述硅片的背面进行第二元素掺杂、高温扩散处理，在所述开口区对应的硅片表面形成元素扩散层，在所述硅片的背面形成玻璃层，未去除的未掺杂多晶硅转换为掺杂多晶硅；其中，所述第二元素与所述第一元素的种类不同；所述高温扩散处理的温度不超过950℃；步骤S5：对所述硅片的背面进行处理，同时去除掩膜层及玻璃层；步骤S6：在所述硅片的背面沉积钝化减反层；步骤S7：对所述硅片进行丝网印刷电极浆料、烧结，形成第一电极与第二电极；其中，所述第一电极与所述掺杂多晶硅接触，所述第二电极与所述元素扩散层接触；步骤S8：在第一电极与第二电极之间施加反向电压，同时，利用光源对所述硅片的背面进行光照，从而感生电流，对光源进行导引，直至光照覆盖到硅片的整个幅面；其中，所述反向电压小于该电池的最大击穿电压。

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