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龙图腾网恭喜华东理工大学;光驰半导体技术(上海)有限公司申请的专利一种光伏封装玻璃表面的减反增透薄膜及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119330608B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411886537.2，技术领域涉及：C03C17/34；该发明授权一种光伏封装玻璃表面的减反增透薄膜及制备方法是由戴宇豪;柳翠;范宾;蓝芝江;闫驰;李家霖设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光伏封装玻璃表面的减反增透薄膜及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能电池封装技术领域，具体公开了一种光伏封装玻璃表面的减反增透薄膜及制备方法，包括以下步骤：S1、玻璃基底表面的预清洗；S2、采用等离子发生装置进行玻璃基底表面的吹扫；S3、采用原子层沉积技术在玻璃基底表面沉积ALD‑TiO2种子层；S4、按一定厚度比例，在ALD‑TiO2种子层上表面沉积ALD‑TiO2SiO2复合层。本发明采用上述一种光伏封装玻璃表面的减反增透薄膜及制备方法，该薄膜具有优异的减反增透效果，且薄膜具有高稳定性、均匀性和耐久性，有效减少光的损失，进而提高光电转换效率。

本发明授权一种光伏封装玻璃表面的减反增透薄膜及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光伏封装玻璃表面的减反增透薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、玻璃基底表面的预清洗；S2、采用等离子发生装置进行玻璃基底表面的吹扫；S3、采用原子层沉积技术在玻璃基底表面沉积ALD-TiO2种子层；S4、按一定厚度比例，在ALD-TiO2种子层上表面沉积ALD-TiO2SiO2复合层，得到减反增透薄膜；所述减反增透薄膜包括玻璃基底和依次设置于玻璃基底表面的ALD-TiO2种子层和ALD-TiO2SiO2复合层，所述ALD-TiO2SiO2复合层包括若干ALD-SiO2层，所述ALD-SiO2层之间均设置有ALD-TiO2层；所述ALD-SiO2层的数量为三层，所述ALD-TiO2种子层、ALD-SiO2层、ALD-TiO2层、ALD-SiO2层、ALD-TiO2层、ALD-SiO2层的厚度比为5~16：30~40：45~54：15~17：35~44：95~103。

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