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龙图腾网恭喜深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486180B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510047337.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其制备方法是由王建军;吴育旺设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上形成堆叠层，堆叠层包括依次形成的待保护层、保护层及第一牺牲保护层，保护层内存在沿保护层的厚度方向贯穿保护层的针孔缺陷；对堆叠层完成预设半导体工艺后，采用化学气相刻蚀工艺去除第一牺牲保护层，化学气相刻蚀去除第一牺牲保护层的过程中产生的固体副产物填充针孔，以阻止刻蚀气体通过针孔刻蚀损伤待保护层；其中，化学气相刻蚀工艺中第一牺牲保护层与保护层的刻蚀选择比大于或等于100：1；在第一牺牲保护层去除完全后，加热处理保护层，以使针孔内填充的固体副产物升华或分解成气体物质后被抽吸去除。本公开的制备方法可减少结构缺陷，提高产品可靠性。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括依次形成的待保护层、保护层及第一牺牲保护层，所述保护层内存在沿所述保护层的厚度方向贯穿所述保护层的针孔缺陷；对所述堆叠层完成预设半导体工艺后，采用化学气相刻蚀工艺去除所述第一牺牲保护层，所述化学气相刻蚀去除所述第一牺牲保护层的过程中产生的固体副产物填充所述针孔，以阻止刻蚀气体通过所述针孔刻蚀损伤所述待保护层；其中，所述化学气相刻蚀工艺中所述第一牺牲保护层与所述保护层的刻蚀选择比大于或等于100：1；在所述第一牺牲保护层去除完全后，加热处理所述保护层，以使所述针孔内填充的所述固体副产物升华或分解成气体物质后被抽吸去除。

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