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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利包含低洼结构的微电子装置以及相关方法、存储器装置和电子系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594168B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110472307.1，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权包含低洼结构的微电子装置以及相关方法、存储器装置和电子系统是由D·A·克朗皮特;R·W·林赛;J·D·鲁尼亚;M·霍兰;C·N·查蒙达设计研发完成，并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本包含低洼结构的微电子装置以及相关方法、存储器装置和电子系统在说明书摘要公布了：本申请案涉及包含低洼结构的微电子装置以及相关方法、存储器装置和电子系统。微电子装置包括堆叠结构、所述堆叠结构内的低洼结构以及导电触点结构。所述堆叠结构包括布置于层中的导电结构和绝缘结构的竖直交替序列。所述层中的每一个包括所述导电结构中的一个和所述绝缘结构中的一个。所述低洼结构包括：正向阶梯结构，其具有包括所述层的边缘的台阶；以及反向阶梯结构，其与所述正向阶梯结构相对且具有包括所述层的额外边缘的额外台阶。所述导电触点结构在所述正向阶梯结构的所述台阶和所述反向阶梯结构的所述额外台阶处竖直延伸到所述堆叠结构的所述导电结构中的至少一些的上部竖直边界，且各自与所述导电结构中的一个成一体式且连续。还描述存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。

本发明授权包含低洼结构的微电子装置以及相关方法、存储器装置和电子系统在权利要求书中公布了：1.一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其包括布置于层中的导电结构和绝缘结构的竖直交替序列，所述层中的每一个包括所述导电结构中的一个和所述绝缘结构中的一个；低洼结构，其在所述堆叠结构内且包括：正向阶梯结构，其具有包括所述层的边缘的台阶；以及反向阶梯结构，其与所述正向阶梯结构相对且具有包括所述层的额外边缘的额外台阶；以及导电触点结构，其在所述正向阶梯结构的所述台阶和所述反向阶梯结构的所述额外台阶处竖直延伸到所述堆叠结构的所述导电结构中的至少一些的上部竖直边界，每一导电触点结构与所述导电结构中的相应一个连续，以便形成包含所述导电触点结构和所述导电结构中的所述相应一个的单个单片结构。

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