恭喜东京毅力科创株式会社进藤崇央获国家专利权
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龙图腾网恭喜东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理装置和等离子体处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113936985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110757947.7，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体处理装置和等离子体处理方法是由进藤崇央;冈本清一;大友洋;菊地贵伦;松土龙夫;森田靖;佐久间隆设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理装置和等离子体处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供能够抑制对基片的离子冲击的同时高效地生成等离子体来进行等离子体处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置对基片实施等离子体处理，其包括：处理容器；设置在处理容器内的能够载置基片的基片载置台；基片载置台所包含的接地的下部电极；与下部电极相对地设置的上部电极；向上部电极与基片载置台之间供给处理气体的气体供给部；对上部电极施加高频电功率来生成处理气体的等离子体的高频电源；和电压波形整形部，其设置在高频电源与上部电极之间，对高频电源的电压波形进行整形，以抑制被施加于上部电极的高频电压中的正电压。
本发明授权等离子体处理装置和等离子体处理方法在权利要求书中公布了：1.一种对基片实施等离子体处理的等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理容器；设置在所述处理容器内的能够载置基片的基片载置台；所述基片载置台所包含的接地的下部电极；与所述下部电极相对地设置的上部电极；向所述上部电极与所述基片载置台之间供给处理气体的气体供给部；对所述上部电极施加高频电功率来生成所述处理气体的等离子体的高频电源；和电压波形整形部，其设置在所述高频电源与所述上部电极之间，对高频电源的电压波形进行整形，以抑制被施加于上部电极的高频电压中的正电压，所述电压波形整形部具有设置在所述高频电源的供电线上的电容器。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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