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龙图腾网恭喜中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种针对SET效应的版图加固方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113571510B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110774796.6，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权一种针对SET效应的版图加固方法是由梁斌;陈建军;池雅庆;袁珩洲;吴振宇;宋睿强;刘必慰;胡春媚设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种针对SET效应的版图加固方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种针对SET效应的版图加固方法，本发明包括在经过增加阱接触和衬底接触加固后的标准单元的版图设计的基础上，通过无缝阱衬底接触和分割有源区两种方式中的至少一种，形成具有SET加固效果的版图结构，其中无缝阱衬底接触是指取消阱衬底接触与有源区之间的浅沟道隔离STI，分割有源区是指将较宽的晶体管拆分为若干个较窄的晶体管。本发明旨在解决时钟树、置复位网络等全局信号的SET效应将对全芯片带来严重影响的问题，对此类全局信号进行加固。

本发明授权一种针对SET效应的版图加固方法在权利要求书中公布了：1.一种针对SET效应的版图加固方法，其特征在于，包括：在经过增加阱接触和衬底接触加固后的标准单元的版图设计的基础上，通过无缝阱衬底接触和分割有源区两种方式中的至少一种，形成具有SET加固效果的版图结构；所述无缝阱衬底接触是指取消阱衬底接触与有源区之间的浅沟道隔离STI，使阱衬底接触与有源区紧邻以增加阱衬底接触对体区电势的控制能力，所述取消阱衬底接触与有源区之间的浅沟道隔离STI之后，还包括阱接触和衬底接触同时往版图设计的中部延伸，分别与标准单元的PMOS晶体管和NMOS晶体管的源极有源直接相连；所述分割有源区是指将较宽的晶体管拆分为若干个较窄的晶体管，且拆分后的晶体管以并联的方式进行连接并替代原来较宽的晶体管，从而不影响电路的功能，所述晶体管是指PMOS晶体管或NMOS晶体管，所述将较宽的晶体管拆分为若干个较窄的晶体管时，拆分后的晶体管之间用浅沟道隔离STI进行隔离，所述将较宽的晶体管拆分为若干个较窄的晶体管时，拆分后的晶体管间共栅，所述将较宽的晶体管拆分为若干个较窄的晶体管时，拆分后的晶体管之间在版图中以公用的栅极作为中心呈算盘状分布。

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