恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司洪威威获国家专利权
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龙图腾网恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利GaN基发光二极管外延片的制备方法和外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210304984.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权GaN基发光二极管外延片的制备方法和外延片是由洪威威;陆香花;肖云飞;李鹏设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本GaN基发光二极管外延片的制备方法和外延片在说明书摘要公布了：本公开提供了一种GaN基发光二极管外延片的制备方法和外延片，属于光电子制造技术领域。该GaN基发光二极管外延片的制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上外延生长n型GaN层；在所述n型GaN层上外延生长多量子阱层；采用脉冲方式间隔性地向反应室通入Mg源，在所述多量子阱层上形成预处理层，所述预处理层为Mg金属层；在所述预处理层上外延生长p型GaN层。本公开实施例能改善在p型GaN层中掺杂Mg时，因Mg的记忆效应导致掺杂浓度较低的问题，提升发光二极管芯片的发光效率。
本发明授权GaN基发光二极管外延片的制备方法和外延片在权利要求书中公布了：1.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上外延生长n型GaN层；在所述n型GaN层上外延生长多量子阱层；采用脉冲方式间隔性地向反应室通入Mg源，在所述多量子阱层上形成预处理层，所述预处理层为Mg金属层；采用脉冲方式通入Mg源时，控制通入Mg源的时间与停止通入Mg源的时间之比为3:1至10:1，通入Mg源的总时间为60s至1000s，通入Mg源时，控制反应室内的温度为700℃至800℃，通入Mg源时，控制反应室内压力为200Torr至600Torr，通入Mg源的Mg浓度为1×1019cm-3至1×1021cm-3；在所述预处理层上外延生长p型GaN层。
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