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龙图腾网恭喜四川大学申请的专利一种具有分压层的抗辐照功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274624B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210765330.4，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权一种具有分压层的抗辐照功率半导体器件是由黄铭敏;马瑶;杨治美设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有分压层的抗辐照功率半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件在耐压层与底部区之间含有中间层和分压层，所述中间层起到截止电场的作用，所述分压层能在所述半导体器件处于截止态下遭受高能粒子辐照时起到承受外加电压的作用，从而避免所述耐压层的动态雪崩击穿。所述半导体器件具有抗辐照特性和高可靠性。

本发明授权一种具有分压层的抗辐照功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其元胞结构包括：至少一个顶部区，一个耐压层，一个中间层和一个底部区，其特征在于，所述顶部区的底部平面与所述耐压层的顶部平面直接接触，所述耐压层的底部平面与所述中间层的顶部平面直接接触，所述中间层与所述底部区之间含有至少一个分压层；所述底部区的底部平面至少有一部分与第一导体直接接触，所述顶部区的顶部平面至少有一部分与第二导体直接接触；所述耐压层由第一导电类型的漂移区构成或由超结区构成，所述超结区由水平方向上交替排列的第一导电类型的柱状区和第二导电类型的柱状区构成；所述中间层和所述分压层的掺杂类型均为第一导电类型；所述顶部区由第一导电类型的半导体材料和或第二导电类型的半导体材料构成；所述底部区由第一导电类型的半导体材料和或第二导电类型的半导体材料构成；所述分压层与所述中间层直接接触或通过一个第一连接区间接接触，所述分压层与所述底部区直接接触或者通过一个第二连接区间接接触；当所述元胞结构中有两个或两个以上的所述分压层时，两个相邻的所述分压层通过一个第三连接区间接接触；所述第一连接区、所述第二连接区和所述第三连接区的掺杂类型均为第一导电类型；所述第一连接区、所述第二连接区和所述第三连接区的平均掺杂浓度高于所述分压层的平均掺杂浓度；所述元胞结构中含有至少一个从所述半导体器件的顶部平面深入内部的深槽介质区或不含有所述深槽介质区；所述深槽介质区的深度在从所述耐压层的顶部平面至所述底部区的底部平面之间的范围内。

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