恭喜湖北科技学院陈小玲获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖北科技学院申请的专利基于空间英伯特-费德洛夫位移的角度位移传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115164780B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210783790.X，技术领域涉及：G01B11/26；该发明授权基于空间英伯特-费德洛夫位移的角度位移传感器及其制备方法是由陈小玲;余琪琦;郭欣怡;赵东设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于空间英伯特-费德洛夫位移的角度位移传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及基于空间英伯特‑费德洛夫位移的角度位移传感器，包括用于产生缺陷模的缺陷层C和对称分布于缺陷层C两侧的两个截断光子晶体ABN、BAN，即整个结构可表示为ABNCBAN，其中N为光子晶体的周期数，A、B和C分别为折射率不同的电介质薄片；所述角度位移传感器中，反射光线相对于几何光学预测位置存在侧向位移，即空间英伯特‑费德洛夫位移；所述空间英伯特‑费德洛夫位移与入射角存在一一对应关系。本发明还提供了上述角度位移传感器的制备方法。本发明利用缺陷光子晶体的缺陷模附近的空间IF位移，在光波接近垂直入射时，实现对光波入射角的精确测量。
本发明授权基于空间英伯特-费德洛夫位移的角度位移传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于空间英伯特-费德洛夫位移的角度位移传感器，其特征在于，所述角度位移传感器包括用于产生缺陷模的缺陷层C和对称分布于缺陷层C两侧的两个截断光子晶体ABN、BAN，即整个结构可表示为ABNCBAN，其中N为光子晶体的周期数，A、B和C分别为折射率不同的电介质薄片；所述角度位移传感器中，反射光线相对于几何光学预测位置存在侧向位移，即空间英伯特-费德洛夫位移；所述空间英伯特-费德洛夫位移与入射角存在一一对应关系。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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