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龙图腾网恭喜广州增芯科技有限公司申请的专利浅沟槽隔离单元及其制备方法、半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117832161B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410062655.5，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权浅沟槽隔离单元及其制备方法、半导体器件及其制备方法是由孙九龙设计研发完成，并于2024-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本浅沟槽隔离单元及其制备方法、半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种浅沟槽隔离单元及其制备方法、半导体器件及其制备方法，该浅沟槽隔离单元的制备方法通过在衬底上形成具有预设的台阶高度的浅沟槽隔离结构，并在浅沟槽隔离结构的隔离层上形成氮化硅保护层；利用该氮化硅保护层来保护隔离层，使得隔离层在后续工艺过程中不被损失掉，从而使得浅沟槽隔离结构维持预设的台阶高度；且该氮化硅层在栅极侧墙的干法刻蚀中被去除。从而使得本发明可以有效精准的控制浅沟槽隔离结构的台阶高度。

本发明授权浅沟槽隔离单元及其制备方法、半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种浅沟槽隔离单元的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构包括浅沟槽以及填充在所述浅沟槽中的隔离层，其中，所述浅沟槽隔离结构具有预设的台阶高度；其中，在所述衬底上形成所述浅沟槽隔离结构包括在所述衬底上形成所述浅沟槽以及在所述浅沟槽中填充隔离层；其中，在所述衬底上形成所述浅沟槽具体包括：在所述衬底上沿背离衬底的方向形成第一停止层，所述第一停止层包括沿远离所述衬底方向依次形成的垫二氧化硅层、垫氮化硅层；在所述衬底上形成第二图形化掩模层，以所述第二图形化掩模层为掩模，对所述衬底的第一部分以及所述第一停止层的第一部分进行选择性刻蚀，以在所述衬底中形成浅沟槽；在所述隔离层的表面形成一氮化硅保护层，用于保护所述隔离层，使得所述浅沟槽隔离结构在后续工艺过程中维持预设的台阶高度；且所述氮化硅保护层在栅极侧墙的干法刻蚀中被去除；其中，在所述隔离层的表面形成所述氮化硅保护层，具体包括：在所述衬底上沉积氮化硅层薄膜，所述氮化硅层薄膜覆盖所述隔离层及所述衬底的其它区域；在所述氮化硅层薄膜上形成第一图形化掩模层，并以所述第一图形化掩模层为掩模对所述氮化硅层薄膜以及所述垫氮化硅层进行刻蚀，以去除其它区域的氮化硅层薄膜以及所述垫氮化硅层，仅保留与所述隔离层相对应的氮化硅层薄膜，形成所述氮化硅保护层。

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