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龙图腾网恭喜无锡松煜科技有限公司申请的专利一种提升p-n结深度批间均匀性的方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118712268B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410815155.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种提升p-n结深度批间均匀性的方法及应用是由李丙科;沈子阳;张振坤;李宏斌;陈庆敏设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升p-n结深度批间均匀性的方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及TOPCon电池制备技术领域，公开了一种提升p‑n结深度批间均匀性的方法。本发明对硼扩散工艺进行优化。首先，本发明通过在硼扩散炉的进气口、出气口设置于炉的两端，作为硼扩散气体均匀穿过所有硅片的前提；然后通过设置弥散板在靠近进气口的舟托的进气端，并使得在进气时，直接向弥散板脉冲气体，使气体能弥散于扩散炉内，使得气体能均匀穿过所有硅片；并在靠近出气口的舟托的出气端设置平衡板，用于防止抽气时会在炉内产生涡流，保证口部抽速与尾部接近，从而提高硼扩散的均匀性。

本发明授权一种提升p-n结深度批间均匀性的方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种提升p-n结深度批间均匀性的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：提供一个低压硼扩散炉（1），其内包括：进气口（2），设于硼扩散炉（1）的端部，用于向扩散炉通入气体；出气口（3），设于硼扩散炉（1）的另一端部，用作扩散炉内气体的出口；若干个舟托（4），用于装载硅片；弥散板（5），设置于靠近进气口（2）的舟托（4）的进气端，所述进气口（2）向弥散板（5）脉冲气体，用于使气体弥散于扩散炉内；平衡板（6），设置于靠近出气口（3）的舟托（4）的出气端，用于使气体以均匀的流速流经舟托（4）；步骤S2：在舟托（4）内放置N型硅衬底；步骤S3：将硼扩散炉内温度调至850~1200℃、压力调至150~700mtorr，通过进气口（2）向扩散炉内通入硼源、氧源进行硼扩散，使在硅衬底表面形成一层硼掺杂层得到p-n结；其中：步骤S1中，进气口设置于弥散板的正前方，进气口与弥散板的水平距离为150~200mm；步骤S2中，N型硅衬底放置于距离弥散板至少60mm处；步骤S2中，N型硅衬底放置于距离平衡板至少60mm处；所述舟托的长度为100~150cm，相邻2个舟托之间间隔120~160mm；硼源的通入流速为15~30Lh，氧源的通入流速为40~60Lh。

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