恭喜隆基绿能科技股份有限公司张泽获国家专利权
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龙图腾网恭喜隆基绿能科技股份有限公司申请的专利太阳能电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118763137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411238855.8，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权太阳能电池及制备方法是由张泽;陈林;马强胜;孙畅;洪承健;曲铭浩设计研发完成，并于2024-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种太阳能电池及制备方法，属于半导体器件技术领域。本申请的太阳能电池包括：半导体基底，包括具有多个第一纹理结构的第一表面；沿着远离第一表面的方向，第一纹理结构包括侧表面和顶表面，顶表面与侧表面的一端相连接；隧穿层，位于半导体基底的第一表面上；掺杂半导体层，位于隧穿层的远离半导体基底的表面上；电极，位于掺杂半导体层的远离半导体基底的表面上，并与掺杂半导体层相接触；金属晶体，分布于掺杂半导体层内的与电极接触的位置处，金属晶体在位于顶表面上的掺杂半导体层内的分布密度大于在位于侧表面上的掺杂半导体层内的分布密度。
本发明授权太阳能电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：半导体基底，包括具有多个第一纹理结构的第一表面；沿着远离所述第一表面的方向，所述第一纹理结构包括侧表面和顶表面，所述顶表面与所述侧表面的一端相连接；隧穿层，位于所述半导体基底的所述第一表面上；掺杂半导体层，位于所述隧穿层的远离所述半导体基底的表面上；电极，位于所述掺杂半导体层的远离所述半导体基底的表面上，并与所述掺杂半导体层相接触，所述电极具有多孔形貌；呈分散分布的金属晶体，所述金属晶体在位于所述顶表面上的掺杂半导体层内的分布密度大于在位于所述侧表面上的掺杂半导体层内的分布密度；其中所述第一纹理结构为凸起结构，所述侧表面在所述顶表面所在方向上投影的横向尺寸与所述顶表面的横向尺寸的比值为0.1~0.3。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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