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龙图腾网恭喜中国人民解放军空军军医大学申请的专利一种用于脑卒中监测的电阻抗断层成像方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118806258B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411305486.X，技术领域涉及：A61B5/0536；该发明授权一种用于脑卒中监测的电阻抗断层成像方法是由朱明旭;史学涛;李蔚琛;李俊瑶;王煜;季振宇;刘本源;王伟策;郭奕彤;申亚鹏设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于脑卒中监测的电阻抗断层成像方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于脑卒中监测的电阻抗断层成像方法，涉及图像处理技术领域，包括以下步骤：连续采集监测对象在多个脑血管搏动周期的脑部电压数据，根据脑部电压数据进行时差成像，获取多张EIT图像；基于多张EIT图像获取每个像素点的相对电导率随时间变化曲线与全局像素点的相对电导率随时间变化曲线，获取每个像素点的相对电导率随时间变化曲线与全局像素点的相对电导率随时间变化曲线之间的回归系数，通过多个回归系数生成功能性EIT图像；对于每个脑血管搏动周期，生成EIT灌注图像。本发明通过分析脑血管舒张期起点和舒张期终点变化过程的测量数据，生成出功能性EIT图像以及EIT灌注图像，可以广泛应用在实际临床环境。

本发明授权一种用于脑卒中监测的电阻抗断层成像方法在权利要求书中公布了：1.一种用于脑卒中监测的电阻抗断层成像方法，其特征在于，包括以下步骤：连续采集监测对象在多个脑血管搏动周期的脑部电压数据，根据脑部电压数据进行时差成像，获取多张EIT图像；其中，所述EIT图像包括多个像素点；基于多张EIT图像获取每个像素点的相对电导率随时间变化曲线与全局像素点的相对电导率随时间变化曲线，获取每个像素点的相对电导率随时间变化曲线与全局像素点的相对电导率随时间变化曲线之间的回归系数，通过多个回归系数生成功能性EIT图像；对于每个脑血管搏动周期，生成EIT灌注图像，所述EIT灌注图像中的像素点的值为脑血管舒张期起点和舒张期终点之间的相对电导率；所述获取每个像素点的相对电导率随时间变化曲线与全局像素点的相对电导率随时间变化曲线之间的回归系数，具体如下式所示： ；式中，是EIT图像中像素点i在时间t的相对电导率值，和是像素点i的不同回归系数，是像素点i的拟合误差，M是EIT图像的像素点总数，m是第m个像素点；αi是功能性EIT图像中绘制在像素点i上的值；根据功能性EIT图像确定脑灌注区域，包括以下步骤：以功能性EIT图像像素最大值的20%为阈值；将功能性EIT图像所有像素值超过该阈值的像素点定义为灌注区域；通过逻辑or操作将灌注区域进行左右镜像合并，得到最终的脑灌注区域。

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