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龙图腾网恭喜通威微电子有限公司申请的专利偏轴式晶体生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118854440B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411355729.0，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权偏轴式晶体生长装置是由徐豹;杨洲;张御寜设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本偏轴式晶体生长装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种偏轴式晶体生长装置，属于半导体技术领域，包括密封室、下坩埚和上坩埚，下坩埚设置于密封室内，用于盛装碳化硅粉料，下坩埚的顶部设置有气相出口。上坩埚的底部开口且顶部内侧设置有籽晶，籽晶与上坩埚同轴设置，上坩埚的顶部外侧连接有驱动机构，用于在驱动机构的驱动下绕自身轴线旋转，上坩埚设置于密封室内且与下坩埚在竖直方向上间隔设置，上坩埚的轴线与下坩埚的轴线在水平方向上间隔设置。通过采用分体偏轴式的上坩埚和下坩埚，同时设置上坩埚在驱动机构的驱动下绕自身轴线旋转，可以使晶体在生长过程中生长面保持稳定的凸界面，从而减少碳化硅晶体的缺陷，提高碳化硅晶体的质量。

本发明授权偏轴式晶体生长装置在权利要求书中公布了：1.一种偏轴式晶体生长装置，其特征在于，包括：密封室（100）；下坩埚（300），所述下坩埚（300）设置于所述密封室（100）内，用于盛装碳化硅粉料（900），所述下坩埚（300）的顶部设置有气相出口（310），所述下坩埚（300）的外侧套设有保温层（200），所述气相出口（310）从所述保温层（200）露出，所述保温层（200）覆盖所述下坩埚（300）除了所述气相出口（310）的其它部分，所述保温层（200）和所述下坩埚（300）之间设置有第一加热器（400）；上坩埚（500），所述上坩埚（500）的底部开口且顶部内侧设置有籽晶（600），所述籽晶（600）与所述上坩埚（500）同轴设置，所述上坩埚（500）的顶部外侧连接有驱动机构（700），用于在所述驱动机构（700）的驱动下绕自身轴线旋转，所述上坩埚（500）设置于所述密封室（100）内且与所述下坩埚（300）在竖直方向上间隔设置，所述上坩埚（500）的轴线与所述下坩埚（300）的轴线在水平方向上间隔设置，所述气相出口（310）与所述籽晶（600）在竖直方向上错位布置。

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