恭喜鼎道智芯(上海)半导体有限公司刘敏获国家专利权
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龙图腾网恭喜鼎道智芯(上海)半导体有限公司申请的专利热源的热阻确定方法及装置、封装结构的制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119066888B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411563470.9,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权热源的热阻确定方法及装置、封装结构的制作方法是由刘敏;陈霞雯;严地设计研发完成,并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本热源的热阻确定方法及装置、封装结构的制作方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种电子设备中热源的热阻确定方法及装置、封装结构的制作方法,涉及散热领域,该确定方法包括:基于电子设备中热源的散热路径建立热阻模型,热阻模型包括第一类热阻和第二类热阻,第一类热阻与热源有关,第二类热阻与热源在电子设备中的散热路径有关;基于热源的热量设计功耗和热源的结温门限、电子设备的第一壳体的壳温门限、电子设备的第二壳体的壳温门限以及第二类热阻,利用热阻模型,确定第一类热阻的多个边界条件,并基于所述第一类热阻的多个边界条件,确定所述第一类热阻的取值范围;其中,第一壳体和第二壳体为电子设备的相对的壳体。本申请通过一次计算即可获得与所述热源有关的第一类热阻的取值范围。
本发明授权热源的热阻确定方法及装置、封装结构的制作方法在权利要求书中公布了:1.一种电子设备中热源的热阻确定方法,包括:基于电子设备中热源的散热路径建立热阻模型,所述热阻模型包括第一类热阻和第二类热阻,其中,所述第一类热阻与所述热源有关,所述第二类热阻与所述热源在所述电子设备中的散热路径有关,所述第二类热阻的阻值为已知阻值;基于所述热源的热量设计功耗和所述热源的结温门限、所述电子设备的第一壳体的壳温门限、所述电子设备的第二壳体的壳温门限以及所述第二类热阻,利用所述热阻模型,确定所述第一类热阻的多个边界条件,并基于所述第一类热阻的多个边界条件,确定所述第一类热阻的取值范围;其中,所述第一壳体和所述第二壳体为所述电子设备的相对的壳体。
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