恭喜长春长光圆辰微电子技术有限公司方小磊获国家专利权
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龙图腾网恭喜长春长光圆辰微电子技术有限公司申请的专利基于BSI工艺的提高晶圆键合强度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108406B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411585480.2，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权基于BSI工艺的提高晶圆键合强度的方法是由方小磊;陈涛;刘佳晶;臧浩天设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于BSI工艺的提高晶圆键合强度的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于BSI工艺的提高晶圆键合强度的方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：在第一晶圆或第二晶圆中的一种晶圆的键合表面形成氧化层并对氧化层进行平坦化处理，再在平坦化处理的键合表面上设置硅烯层；再在另一晶圆的键合表面形成氧化层并对氧化层进行平坦化处理；将两个晶圆的键合表面接触结合，经退火处理后得到强化的键合结构；本发明在现有的氧化活化层基础上，通过在键合面设置硅烯层，为键合面提供良好的硅氧键成键条件，进而提高晶圆键合强度。
本发明授权基于BSI工艺的提高晶圆键合强度的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于BSI工艺的提高晶圆键合强度的方法，其特征在于，包括以下步骤：1提供已形成光电二极管电路结构和金属布线的第一晶圆和作为支撑结构的第二晶圆；2在所述第一晶圆或第二晶圆中的一种晶圆的键合表面形成氧化层并对氧化层进行平坦化处理，再在平坦化处理的键合表面上设置硅烯层；3在与步骤2所述晶圆不同的另一晶圆的键合表面形成氧化层并对氧化层进行平坦化处理；4将所述第一晶圆和所述第二晶圆的键合表面接触结合，经退火处理后得到强化的键合结构；步骤2所述硅烯层通过铺设的方式形成，所述铺设包括以下步骤：先在基底材料上生长所述硅烯层，而后将生成的硅烯层剥离，再将剥离得到的硅烯层铺设在所述氧化层之上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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