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龙图腾网恭喜杭州致善微电子科技有限公司申请的专利一种基于BCD集成纵向场板DMOS器件及工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108433B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411598405.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种基于BCD集成纵向场板DMOS器件及工艺是由张占龙;宋宾;丁一设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于BCD集成纵向场板DMOS器件及工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于BCD集成纵向场板DMOS器件及工艺。一种基于BCD集成纵向场板DMOS器件，包括沿竖直方向从下到上依次堆叠的P型衬底和P‑型阱层，所述P‑型阱层分隔成沿水平方向从左向右依次排列的低压区、中压区和高压区。通过对低压区、中压区、高压区的集成，满足200V以内全电压范围的需求。在相对较小芯片面积下，其高压驱动电路可以获得更高的电流密度，更低的导通电阻，并进而实现提高电路的工作效率的目的。同时全电压器件可以进一步扩展本发明下所设计的电路的应用范围。

本发明授权一种基于BCD集成纵向场板DMOS器件及工艺在权利要求书中公布了：1.一种基于BCD集成纵向场板DMOS器件，其特征在于，包括沿竖直方向从下到上依次堆叠的P型衬底、P-型阱层，所述P-型阱层分隔成沿水平方向从左向右依次排列的低压区、中压区和高压区；所述低压区和中压区之间具有第一P+区域，所述第一P+区域与低压区和中压区之间通过浅槽隔离；所述中压区和高压区之间具有第二P+区域，所述第二P+区域与中压区和高压区之间通过浅槽隔离；高压区的右侧还具有沿水平方向从左向右依次排列的第一N+区域和第三P+区域，所述高压区和第一N+区域之间通过浅槽隔离，所述第一N+区域和第三P+区域之间通过浅槽隔离，所述第三P+区域右侧也具有浅槽隔离；所述低压区内包括沿水平方向从左向右依次排列的低压CMOS器件和Bipolar器件，所述中压区包括沿水平方向从左向右依次排列的LDPMOS器件和LDNMOS器件；所述高压区包括沿水平方向从左向右依次排列的SGT-NMOS器件和SGT-PMOS器件。

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