恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司朱会超获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153320B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411650381.8，技术领域涉及：H01L21/266；该发明授权半导体器件及其制作方法是由朱会超;蔡富吉;王文轩设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，衬底上形成有栅极结构与侧墙，栅极结构包括栅介质层、伪栅极、第一硬掩膜层、第二硬掩膜层与无定形碳层；形成覆盖NMOS区域的第一图形化的光刻胶层；在PMOS区域内的栅极结构两侧的衬底内形成凹槽，且第二硬掩膜层上还保留有部分厚度的无定形碳层；去除第一图形化的光刻胶层；采用灰化工艺去除无定形碳层。本发明在PMOS区域内形成凹槽的过程中，通过无定形碳层保护其下方的第二硬掩膜层不被减薄，去除无定形碳层之后，能够保证两个区域内的第二硬掩膜层的厚度一致，从而保证伪栅极的高度一致，由此提高器件的电学性能。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底包括NMOS区域与PMOS区域，所述NMOS区域与所述PMOS区域内的所述衬底上均形成有栅极结构，所述栅极结构包括依次形成于所述衬底上的栅介质层、伪栅极、第一硬掩膜层、第二硬掩膜层以及无定形碳层，所述栅极结构的侧壁形成有侧墙；形成第一图形化的光刻胶层，所述第一图形化的光刻胶层覆盖所述NMOS区域内的所述衬底以及所述栅极结构；在所述PMOS区域内的所述栅极结构两侧的所述衬底内形成凹槽，且所述PMOS区域内的所述第二硬掩膜层上还保留有部分厚度的所述无定形碳层；去除所述第一图形化的光刻胶层；以及采用灰化工艺去除所述NMOS区域与所述PMOS区域内的所述无定形碳层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号