恭喜深圳云潼微电子科技有限公司;重庆云潼科技有限公司蔡政坤获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳云潼微电子科技有限公司;重庆云潼科技有限公司申请的专利一种沟槽型PMOS管及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300424B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411791003.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种沟槽型PMOS管及制造方法是由蔡政坤;张伟;田甜;廖光朝设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽型PMOS管及制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种沟槽型PMOS管，该PMOS管包括：P型衬底、P型外延层、元胞区和环绕所述元胞区的终端区；所述P型外延层位于所述P型衬底之上；所述元胞区和所述终端区位于所述P型外延层上；所述元胞区的元胞沟槽包括元胞凹槽、栅极氧化层和栅极多晶硅；所述栅极氧化层位于所述元胞凹槽的底部和侧壁上，所述栅极多晶硅填充在所述栅极氧化层形成的空间内，其中，所述栅极氧化层为富硼氧化层，所述富硼氧化层是向氧化层中注入硼离子形成的。该PMOS管具有低导通电阻，高雪崩耐量EAS能力和低的电压蠕变等优势，进而提高可靠性。
本发明授权一种沟槽型PMOS管及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型PMOS管，其特征在于，包括：P型衬底、P型外延层、元胞区和环绕所述元胞区的终端区；所述P型外延层位于所述P型衬底之上；所述元胞区和所述终端区位于所述P型外延层上；所述元胞区的元胞沟槽包括元胞凹槽、栅极氧化层和栅极多晶硅；所述栅极氧化层位于所述元胞凹槽的底部和侧壁上，所述栅极多晶硅填充在所述栅极氧化层形成的空间内，其中，所述栅极氧化层为富硼氧化层，所述富硼氧化层是向氧化层中注入硼离子形成的。
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