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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利存储器单元的高度上延伸的串的阵列及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110136434.4，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权存储器单元的高度上延伸的串的阵列及其形成方法是由J·B·德胡特;K·R·帕雷克;M·帕克;J·N·格里利;C·E·卡特;M·C·罗伯茨;I·V·恰雷;V·沙马娜;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2017-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器单元的高度上延伸的串的阵列及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及存储器单元的高度上延伸的串的阵列及其形成方法。所述存储器单元个别地包括可编程电荷存储晶体管，衬底包括含有存储器单元的第一区域及横向于所述第一区域的不含有存储器单元的第二区域。所述第一区域包括绝缘性材料与控制栅极材料的垂直交替叠层。所述第二区域包括横向于所述第一区域的不同组合物绝缘材料的垂直交替叠层。包括半导电沟道材料的沟道柱在高度上延伸穿过所述第一区域内的所述垂直交替叠层中的多者。隧道绝缘体、可编程电荷存储材料及控制栅极阻挡绝缘体介于所述沟道柱与所述第一区域内的所述控制栅极材料的所述叠层中的个别者的所述控制栅极材料之间。

本发明授权存储器单元的高度上延伸的串的阵列及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器单元的高度上延伸的串的阵列，所述存储器单元个别地包括可编程电荷存储晶体管，所述阵列包括：衬底，其包括含有存储器单元的第一区域及横向于所述第一区域的不含有存储器单元的第二区域，所述第一区域包括绝缘性材料与控制栅极材料的垂直交替叠层，所述第二区域包括横向于所述第一区域的不同组合物绝缘材料的垂直交替叠层；沟道柱，其包括半导电沟道材料，在高度上延伸穿过所述第一区域内的所述垂直交替叠层中的多者；可编程电荷存储材料，其介于所述沟道柱与所述第一区域内的所述控制栅极材料的所述叠层中的个别者的所述控制栅极材料之间；导电导通体，其在高度上延伸穿过所述第二区域中的所述垂直交替叠层；及高度上延伸的壁，其横向位于所述第一区域与所述第二区域之间，所述壁包括所述可编程电荷存储材料及所述半导电沟道材料。

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