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龙图腾网恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利三维堆叠结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112185895B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910599721.1，技术领域涉及：H01L21/98；该发明授权三维堆叠结构及其制备方法是由蔡汉龙;林正忠设计研发完成，并于2019-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维堆叠结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维堆叠结构及其制备方法，三维堆叠结构包括电连接的多个半导体封装结构，半导体封装结构包括电路板、芯片、金属焊线、封装层主体、第一金属凸块及第二金属凸块；第一金属凸块位于封装层主体的顶面上且与第一金属焊线电连接，第二金属凸块位于封装层主体的侧面上且与第二金属焊线电连接；半导体封装结构的电性引出端包括第一金属凸块、第二金属凸块及电路板第二面，且多个半导体封装结构通过电性引出端的电连接构成三维堆叠结构。本发明制备工艺简单，可以随需求往纵向、横向及侧向电连接半导体封装结构，可提高三维封装的灵活性，扩大三维封装的应用，提高半导体封装结构的密集度。

本发明授权三维堆叠结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维堆叠结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供电路板，所述电路板包括电路板第一面及对应设置的电路板第二面；提供芯片，将所述芯片键合于所述电路板第一面；采用焊线工艺，通过金属焊线电连接所述芯片及电路板；形成封装层，并通过去除部分所述封装层，以显露封装层主体，所述封装层主体覆盖所述电路板第一面、芯片及金属焊线；在所述封装层主体中，所述金属焊线包括第一金属焊线、第二金属焊线及第三金属焊线，所述封装层主体的顶面显露所述第一金属焊线，所述封装层主体的侧面显露所述第二金属焊线，所述电路板及芯片通过所述第三金属焊线电连接；于所述封装层主体的顶面上形成第一金属凸块，所述第一金属凸块与所述第一金属焊线电连接；于所述封装层主体的侧面上形成第二金属凸块，所述第二金属凸块与所述第二金属焊线电连接，以形成半导体封装结构，所述半导体封装结构的电性引出端包括所述第一金属凸块、第二金属凸块及电路板第二面；将多个所述半导体封装结构通过所述电性引出端电连接，形成所述三维堆叠结构。

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