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龙图腾网恭喜英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利用于在垂直功率器件中减小接触注入物向外扩散的氧插入的Si层获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110828420B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910729101.5，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权用于在垂直功率器件中减小接触注入物向外扩散的氧插入的Si层是由M.波茨尔;O.布兰克;T.菲尔;B.格勒;R.哈瑟;S.里奥曼;A.梅瑟;M.罗施设计研发完成，并于2019-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于在垂直功率器件中减小接触注入物向外扩散的氧插入的Si层在说明书摘要公布了：用于在垂直功率器件中减小接触注入物向外扩散的氧插入的Si层。一种半导体器件包括：延伸到Si衬底中的栅沟槽；在Si衬底中的本体区，该本体区包括沿栅沟槽的侧壁延伸的沟道区；在本体区上方、在Si衬底中的源区；延伸到Si衬底中并且通过源区的一部分和本体区的一部分与栅沟槽分离的接触沟槽，该接触沟槽填充有导电材料，该导电材料接触在接触沟槽的侧壁处的源区和在接触沟槽的底部处的高掺杂本体接触区；以及沿接触沟槽的侧壁形成并且被设置在高掺杂本体接触区和沟道区之间的扩散阻挡结构，该扩散阻挡结构包括Si和氧掺杂Si的交替层。

本发明授权用于在垂直功率器件中减小接触注入物向外扩散的氧插入的Si层在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其包括：延伸到Si衬底中的栅沟槽；在所述Si衬底中的本体区，所述本体区包括沿所述栅沟槽的侧壁延伸的沟道区；在所述本体区上方、在所述Si衬底中的源区；延伸到所述Si衬底中并且通过所述源区的一部分和所述本体区的一部分与所述栅沟槽分离的接触沟槽，所述接触沟槽填充有导电材料，所述导电材料接触所述接触沟槽的侧壁处的源区和所述接触沟槽的底部处的高掺杂本体接触区；以及沿所述接触沟槽的侧壁形成并且被设置在所述高掺杂本体接触区与所述沟道区之间的扩散阻挡结构，所述扩散阻挡结构包括Si和氧掺杂Si的交替层。

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