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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349581B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910733357.3，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权半导体结构及其形成方法是由胡连峰设计研发完成，并于2019-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成电介质层；在所述电介质层上形成第二电极层；在所述第二电极层上形成氧化层；在所述氧化层表面形成第一刻蚀停止层；在所述第一刻蚀停止层上形成绝缘层；刻蚀所述绝缘层、所述第一刻蚀停止层及所述氧化层，形成第一接触孔，所述第一接触孔底部露出所述第二电极层顶部表面，所述第一接触孔贯穿所述绝缘层、所述第一刻蚀停止层及所述氧化层。本发明有助于提高所述第二电极板与所述第一刻蚀停止层的黏附强度，降低所述第二电极板与所述第一刻蚀停止层之间出现分层的风险，从而改善封装质量。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成电介质层；在所述电介质层上形成第二电极层；在所述第二电极层上形成氧化层；在所述氧化层表面形成第一刻蚀停止层；在所述第一刻蚀停止层上形成绝缘层；刻蚀所述绝缘层、所述第一刻蚀停止层及所述氧化层，在所述第二电极层的顶部形成第一接触孔，所述第一接触孔底部露出所述第二电极层顶部表面，所述第一接触孔贯穿所述绝缘层、所述第一刻蚀停止层及所述氧化层。

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